ZTX751Q 时间：2025/8/1 17:35:45 阅读：33

ZTX751Q是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于高功率和高频开关场合。该器件采用先进的平面工艺制造，具有低导通电阻、高电流容量和优异的热稳定性。其封装形式通常为TO-220或DPAK，适用于多种电源管理和功率放大电路。ZTX751Q在设计上优化了开关损耗和导通损耗的平衡，使其在各种应用中表现出色。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大漏极电流（Id）：13A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.45Ω
　　栅极电荷（Qg）：典型值45nC
　　最大功耗（Pd）：125W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220、DPAK

特性

ZTX751Q的主要特性包括低导通电阻，有助于减少导通损耗并提高效率。其高漏源击穿电压（600V）使得该器件适用于高电压应用。该MOSFET具有高电流容量和良好的热稳定性，能够在高负载条件下稳定工作。此外，ZTX751Q的快速开关特性降低了开关损耗，适用于高频开关电源和电机控制电路。其栅极驱动特性优化，使得驱动电路设计更加简单可靠。
　　在可靠性方面，ZTX751Q具有良好的抗雪崩能力和过载保护性能，适用于苛刻的工作环境。其封装设计提供了良好的散热性能，确保在高功率应用中的稳定运行。

应用

ZTX751Q广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器、功率放大器和LED照明驱动电路。其高电压和高电流特性使其成为工业电源、家用电器和汽车电子系统的理想选择。此外，ZTX751Q还可用于逆变器、不间断电源（UPS）和变频器等高功率应用。其快速开关性能和低导通电阻使其在高频电源转换器中表现出色。