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ZTX656 发布时间 时间:2023/9/27 17:31:47 查看 阅读:191

类别:分离式半导体产品

目录

概述

类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 单路
晶体管类型:NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):200V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 10mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):50 @ 100mA, 5V
功率 - 最大:1W
频率 - 转换:30MHz
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-92-3(标准主体),TO-226
包装:散装

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ZTX656参数

  • 制造商Diodes Inc.
  • 配置Single
  • 晶体管极性NPN
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-92-3
  • 最大工作频率30 MHz
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO200 V
  • 集电极连续电流0.5 A
  • 功率耗散1 W
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 最小工作温度- 55 C