您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > ZTX603STZ

ZTX603STZ 发布时间 时间:2023/9/1 17:10:40 查看 阅读:221

产品种类: 达林顿晶体管

目录

概述

制造商: Diodes Inc.
产品种类: 达林顿晶体管
配置: Single
晶体管极性: NPN
封装 / 箱体: TO-92
集电极—发射极最大电压 VCEO: 80 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 10 V
集电极—基极电压 VCBO: 100 V
峰值直流集电极电流: 1 A
最大集电极截止电流: 0.01 uA
功率耗散: 1 W
最大工作温度: + 200℃

最小工作温度: - 55℃

封装: Bulk
集电极连续电流: 1 A
安装风格: Through Hole

ZTX603STZ推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

ZTX603STZ参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)80V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1V @ 1mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大)10µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)2000 @ 1A,5V
  • 功率 - 最大1W
  • 频率 - 转换150MHz
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
  • 供应商设备封装TO-92-3
  • 包装带盒(TB)