类型：P沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（Vds）：-20V
　　栅源电压（Vgs）：±8V
　　连续漏极电流（Id）：-1.7A
　　脉冲漏极电流（Idm）：-4.2A
　　导通电阻Rds(on)：35mΩ（Vgs = -4.5V）
　　导通电阻Rds(on)：45mΩ（Vgs = -2.5V）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容（Ciss）：325pF
　　输出电容（Coss）：140pF
　　反向传输电容（Crss）：40pF
　　开启时间（Ton）：~15ns
　　关断时间（Toff）：~25ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23

ZTX603作为一款高性能P沟道MOSFET，具备多项优异的电气与物理特性，使其在现代低电压、低功耗电子系统中占据重要地位。首先，其-20V的漏源击穿电压适合于12V及以下的电源系统，常见于便携设备如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和移动电源等产品中，用于实现电池与负载之间的高效开关控制。其次，该器件在-4.5V栅源电压下的导通电阻仅为35mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。即使在更低的驱动电压（如-2.5V）下，其Rds(on)也仅上升至45mΩ，表明其对低电压驱动信号仍具有良好的响应能力，支持与3.3V或甚至1.8V逻辑系统的兼容性。
　　另一个关键特性是其低栅极电荷（Qg）和输入电容，典型值分别为约10nC和325pF，这意味着驱动电路所需的瞬时电流较小，有助于降低驱动IC的负担，并减少开关过程中的动态损耗。这对于高频开关应用尤为重要，例如在同步整流或DC-DC转换器中，ZTX603可以作为上管使用，配合控制器实现高效的能量传递。此外，其快速的开关响应时间——开启时间约15ns，关断时间约25ns——进一步增强了其在高频环境下的适用性。
　　ZTX603采用SOT-23封装，不仅尺寸紧凑（约2.9mm x 1.3mm），而且具有良好的散热性能，能够通过PCB焊盘有效传导热量。该器件符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。其工作结温范围宽达-55°C至+150°C，确保在极端环境条件下依然可靠运行，适用于工业级应用。此外，内置的体二极管提供了反向电流路径，在感性负载切换时起到保护作用，避免电压尖峰损坏其他元件。综合来看，ZTX603凭借其低导通电阻、逻辑电平兼容性、小型封装和高可靠性，成为众多电源开关设计中的优选器件。

ZTX603广泛应用于各类需要高效、小型化功率开关的电子系统中。典型应用包括便携式设备中的电池电源管理，例如在智能手机和平板电脑中用于控制外设模块的供电通断，以实现节能待机或故障隔离。它也常被用作高边开关（high-side switch），在微控制器输出无法直接驱动负载负极的情况下，ZTX603可通过拉低栅极来导通P沟道MOSFET，从而为负载提供电源，这种配置在电机驱动、LED背光控制和传感器供电电路中尤为常见。
　　在DC-DC转换器拓扑中，ZTX603可作为同步整流器的上管使用，尤其是在非隔离式降压（Buck）变换器中，配合一个N沟道MOSFET构成互补驱动结构，提升转换效率并减少散热需求。此外，该器件适用于过压或过流保护电路中的电子保险丝（eFuse）功能，通过检测异常电流后迅速切断电源路径，保护后级电路安全。
　　由于其SOT-23封装的小尺寸优势，ZTX603也被广泛用于空间敏感的设计，如可穿戴设备、TWS耳机充电仓、USB接口电源开关以及SIM卡/存储卡插槽的电源控制。在这些应用中，不仅要考虑导通损耗，还需关注待机电流和自耗电问题，而ZTX603的低栅极驱动需求和极低的漏电流（通常小于1μA）正好满足这一要求。此外，工业控制板、网络通信模块和家用电器的智能控制单元中也能见到该器件的身影，用于实现远程唤醒、多电源域切换和冗余电源选择等功能。

ZXM61P02F
　　ZVP2106
　　FDD8858