时间：2025/5/14 16:51:35
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ZT213LEEA是一种高性能的N沟道增强型MOSFET功率晶体管，广泛应用于电源管理、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和出色的开关性能，能够显著提高系统效率并减少功耗。
其封装形式为TO-252（DPAK），适合表面贴装技术（SMT）应用，有助于实现紧凑型设计。此外，ZT213LEEA还具备较高的雪崩击穿能力和热稳定性，确保在严苛环境下的可靠运行。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻：70mΩ
栅极电荷：12nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 低导通电阻，有助于降低导通损耗，提升系统效率。
2. 快速开关特性，支持高频应用，如开关电源和DC-DC转换器。
3. 高雪崩击穿能力，增强了器件在异常条件下的耐受性。
4. 小型表面贴装封装，便于自动化生产和节省PCB空间。
5. 较宽的工作温度范围，适用于各种工业和消费类应用场景。
ZT213LEEA适用于多种电力电子应用，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动电路
4. 负载开关
5. 电池保护电路
6. 汽车电子中的低压控制模块
IRLZ44N, AO3400, FDN337N
