器件类型：TVS二极管阵列
　　通道数：4通道
　　工作电压（VRWM）：5.0V
　　击穿电压（VBR）：最小6.4V，典型7.1V
　　最大钳位电压（VC）：13.0V（在IPP=1A条件下）
　　峰值脉冲电流（IPP）：10A（8/20μs波形）
　　寄生电容（Cj）：每通道典型值0.3pF
　　漏电流（IR）：最大1μA
　　ESD耐受能力：±15kV（接触放电，IEC 61000-4-2 Level 4）
　　封装形式：DFN-6（1.6mm x 1.6mm）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C

ZSDR-425的核心优势在于其超低电容设计，每通道典型电容仅为0.3pF，这一特性使其非常适合应用于高频信号线路中，能够在不引入显著信号失真或衰减的前提下提供有效的ESD防护。对于现代高速数字接口而言，过高的寄生电容会导致信号完整性下降，例如引起眼图闭合、增加抖动或降低传输速率。ZSDR-425通过优化内部结构和材料选择，实现了极低的结电容，同时保持优异的瞬态响应性能，确保在GHz级别的信号带宽下仍能维持良好的传输质量。
　　该器件采用先进的硅基工艺制造，具备非常陡峭的击穿特性与快速响应时间（通常小于1ns），可在纳秒级时间内将瞬态高压引导至地，防止其传递到敏感的IC引脚上。其低动态阻抗意味着在钳位过程中电压上升幅度小，进一步提升了对后级电路的保护效果。此外，ZSDR-425具有双向保护能力，适用于交流耦合或双极性信号路径，无需额外配置即可应对正负向瞬态冲击。
　　在可靠性方面，ZSDR-425经过严格的老化测试和环境应力筛选，确保在高温、高湿及频繁ESD冲击条件下依然保持稳定性能。其DFN-6小型化封装不仅节省PCB空间，还支持自动化贴片生产，便于大规模应用集成。整体设计兼顾了高性能、小型化与可制造性，是便携式电子设备和高密度电路板的理想ESD保护解决方案。

ZSDR-425广泛应用于各类需要高等级静电防护的电子系统中，尤其适用于便携式消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和无线耳机等，用于保护USB Type-C、HDMI、音频插孔、触摸屏控制器及传感器接口免受人体模型（HBM）和机器模型（MM）静电放电损害。在通信领域，它常被部署于以太网端口、DSL线路、光模块和基站射频前端，提升系统的电磁兼容性和现场稳定性。
　　在汽车电子中，ZSDR-425可用于车载信息娱乐系统、摄像头模块和车内无线充电单元的接口保护，满足AEC-Q101认证要求下的严苛环境挑战。工业控制设备如PLC、HMI人机界面、工业传感器和现场总线接口也常采用该器件来增强对外部电气噪声和操作人员接触ESD的抵御能力。
　　此外，医疗电子设备中对信号完整性和安全性要求极高，ZSDR-425凭借其低泄漏电流和高绝缘性能，可用于保护心电图机、血压监测仪和便携式超声设备中的模拟前端和数据采集通道。总之，凡涉及高速、低功耗、高灵敏度信号传输且暴露于外部连接器的应用场景，ZSDR-425均能提供可靠而高效的瞬态电压抑制保护。

SDP4254U05BTG
　　SP3209-05UTG
　　TPD4EUSB30DPYR