型号：ZRGT2210-M
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：250 V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30 V
　　最大连续漏极电流（Id）：4.5 A
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：18 A
　　最大耗散功率（Ptot）：250 W
　　工作结温范围（Tj）：-65 °C 至 +200 °C
　　存储温度范围（Tstg）：-65 °C 至 +200 °C
　　输入电容（Ciss）：典型值 140 pF @ f = 1 MHz, Vds = 25 V, Vgs = 0 V
　　反向传输电容（Crss）：典型值 1.5 pF @ f = 1 MHz, Vds = 25 V, Vgs = 0 V
　　输出电容（Coss）：典型值 35 pF @ f = 1 MHz, Vds = 25 V, Vgs = 0 V
　　跨导（Gm）：最小值 8.0 S @ I d = 2.0 A, Vds = 25 V
　　开启延迟时间（td(on)）：典型值 35 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：典型值 90 ns
　　上升时间（tr）：典型值 70 ns
　　下降时间（tf）：典型值 60 ns
　　封装类型：Metal/Ceramic Package (SOT-227B 或类似)
　　引脚数：4
　　极性：N-Channel Enhancement Mode

ZRGT2210-M作为一款高性能射频功率MOSFET，在多个方面展现出卓越的技术优势。
　　首先，它具备极高的功率处理能力，额定最大耗散功率可达250W，并且能在高达250V的漏源电压下稳定工作，这使得它非常适合用于高功率放大器电路中，尤其是在需要驱动大负载或实现远距离信号传输的应用场景下表现出色。其高跨导特性（Gm ≥ 8.0 S）确保了优异的增益性能，从而减少了对前级驱动的需求，提高了整体系统的集成度和效率。
　　其次，该器件具有非常低的电容参数，特别是反向传输电容（Crss）仅为1.5pF左右，这种低反馈电容显著提升了器件的高频响应能力和稳定性，有效降低了自激振荡的风险，使其在UHF及以下频段内能够保持高度线性放大特性。这对于要求高保真度的广播发射系统尤为重要。
　　再者，ZRGT2210-M采用了陶瓷金属封装技术，具备出色的热传导性能和机械强度，能够在极端温度环境下长期可靠运行。其工作结温最高可达+200°C，表明其拥有强大的耐热能力，配合适当的散热设计可实现长时间满负荷运行而不发生热失效。
　　此外，该晶体管还具备良好的抗静电放电（ESD）能力，栅源间可承受±30V的电压冲击，增强了在实际装配和使用过程中的安全性。其快速的开关特性（开通延迟约35ns，关断延迟约90ns）也使其适用于脉冲调制类应用，例如雷达系统或数字广播中的突发信号放大。
　　最后，ZRGT2210-M经过严格的老化测试和质量控制流程，符合军用级和工业级可靠性标准，广泛用于对稳定性要求极高的专业通信设备中。

ZRGT2210-M主要应用于各类高功率射频放大系统中。
　　在广播领域，它常被用作AM/FM广播发射机的末级功率放大器（PA），负责将音频信号调制后的射频信号进行高效放大，以驱动天线实现远距离覆盖。由于其高线性度和低失真特性，能够满足广播行业对音质保真度的严苛要求。
　　在工业、科学和医疗（ISM）频段设备中，该器件可用于感应加热、等离子体生成、射频激励源等应用，提供稳定的高频能量输出。
　　此外，ZRGT2210-M也广泛用于民用和军用通信系统，包括短波电台、HF/VHF/UHF频段的地面通信基站、移动通信中继站等，作为主功率放大单元的核心元件。
　　在测试与测量仪器方面，该晶体管可用于构建宽频带射频信号发生器或功率放大模块，用于电磁兼容性（EMC）测试中的抗扰度试验。
　　由于其高可靠性和宽温度适应范围，ZRGT2210-M也被应用于航空航天、国防电子和野外作业设备中，支持极端环境下的持续通信需求。

MRF2210
　　BLF2210
　　RD2210
　　2SC3249