时间：2025/12/27 15:33:23
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ZPDR-22V-S是一款由Littelfuse公司生产的瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array），专为保护敏感电子元件免受静电放电（ESD）、电快速瞬变脉冲群（EFT）以及雷击感应等瞬态过电压事件的影响而设计。该器件采用紧凑型封装，适用于高密度印刷电路板布局，广泛应用于通信接口、消费类电子产品和工业控制系统中。ZPDR-22V-S属于双向TVS二极管阵列，能够对正负方向的瞬态电压提供有效抑制，确保信号线路在恶劣电磁环境下的稳定运行。其低电容特性使其非常适合高速数据线路的保护，例如USB、HDMI、以太网端口和其他高频信号传输通道。该器件基于半导体工艺制造，具备快速响应时间（通常在皮秒级别），可在纳秒级瞬态事件发生时迅速钳位电压，将残余电压控制在安全范围内，从而防止后级集成电路因过压而损坏。此外，ZPDR-22V-S具有较高的峰值脉冲功率承受能力，能够在短时间内吸收大量能量而不发生永久性失效，表现出良好的可靠性和耐用性。
型号：ZPDR-22V-S
制造商：Littelfuse
通道数：4通道
工作电压（VRWM）：22V
反向击穿电压（VBR）：24.4V @ 1mA
最大钳位电压（VC）：36.1V @ IPP = 1A
峰值脉冲电流（IPP）：1A
峰值脉冲功率（PPPM）：72.2W
极性：双向
电容典型值（Ct）：15pF @ 0V, 1MHz
封装形式：SOT-23-6
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
引脚数量：6
ZPDR-22V-S的核心特性之一是其低动态电阻和快速响应能力，这使得它在面对高达±30kV的空气放电ESD事件时仍能保持优异的保护性能。该器件内部集成了四个独立的双向TVS单元，每个单元均可独立处理瞬态过压事件，适用于多线信号系统的防护需求。由于采用了先进的硅结技术，ZPDR-22V-S在正常工作状态下呈现极高的阻抗状态，几乎不对原始信号造成任何负载效应或信号衰减，从而保证了高速信号完整性。其15pF的低电容设计特别适合用于带宽要求较高的接口，如USB 2.0、RS-485、CAN总线等，在这些应用中不会引入明显的信号失真或延迟。
另一个关键优势是其双向电压保护能力，允许器件应对正负极性的瞬态冲击，这对于交流耦合信号路径或差分信号线尤为关键。例如，在HDMI或DisplayPort等视频接口中，差分对可能经历双向电压波动，使用单向TVS会导致负向过压无法被钳制，而ZPDR-22V-S则可全面覆盖两个方向的异常电压。此外，该器件符合IEC 61000-4-2（ESD）四级标准，即接触放电±8kV和空气放电±15kV，满足大多数工业与消费类产品的电磁兼容性要求。其SOT-23-6小型化封装不仅节省PCB空间，还便于自动化贴装，提高了生产效率。热稳定性方面，ZPDR-22V-S能够在-55°C至+125°C的宽温范围内稳定工作，适应极端环境下的长期运行。综合来看，ZPDR-22V-S凭借其高性能、小尺寸和高可靠性，成为现代电子系统中不可或缺的电路保护元件。
ZPDR-22V-S广泛应用于需要高可靠性瞬态电压保护的各类电子设备中。常见应用场景包括便携式消费电子产品中的USB接口保护，尤其是在智能手机、平板电脑和移动电源等设备中，用于防止用户插拔过程中产生的静电损伤主控芯片。此外，该器件也适用于工业通信模块中的RS-485或CAN总线接口，这些总线常暴露于长距离布线环境中，容易受到雷击感应或电源串扰引起的电压浪涌影响，ZPDR-22V-S可有效抑制此类干扰，提升系统抗扰度。
在计算机外设领域，如打印机、扫描仪和外部硬盘驱动器的数据端口中，ZPDR-22V-S可用于保护高速信号线免受工厂环境或操作人员带来的静电放电威胁。同时，它也被集成于网络设备的以太网PHY侧，为RJ-45接口提供第二级ESD保护（第一级通常由变压器磁珠实现）。在汽车电子系统中，尽管该器件并非AEC-Q101认证产品，但在非关键车载信息娱乐系统的辅助接口中仍有应用潜力，特别是在诊断接口或OBD-II端口中作为低成本ESD解决方案。
此外，医疗电子设备中的一些低功耗信号采集前端，如心电图机、血压监测仪的传感器输入端，也可采用ZPDR-22V-S来增强抗干扰能力，确保测量精度不受外界电磁噪声影响。由于其无铅且符合RoHS环保标准，ZPDR-22V-S适用于全球市场的合规性要求。总的来说，凡是有高速信号传输且存在ESD或瞬态干扰风险的场合，ZPDR-22V-S都是一种经济高效且技术成熟的保护方案选择。
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"SP1205-04UTG",
"RCLAMP0524P",
"SRV05-4",
"TPD4S014",
"EMIF05-4U2"
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