晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　集电极-基极电压（VCBO）：30V
　　发射极-基极电压（VEBO）：2V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　电流增益（hFE）：在 IC=2mA, VCE=5V 时，典型值为 110
　　过渡频率（fT）：250MHz
　　噪声系数（NF）：0.5dB（典型值）

ZMM6B2 的主要特性之一是其优异的高频性能，过渡频率（fT）高达 250MHz，使其非常适合用于射频（RF）放大器和高频信号处理电路。此外，该晶体管具有非常低的噪声系数（NF），典型值为 0.5dB，这使得它特别适用于低噪声前置放大器的设计，如无线通信系统中的接收前端。其 NPN 结构提供了良好的电流放大能力，同时在 IC=2mA 时具有 110 的典型电流增益（hFE），确保了稳定的放大性能。ZMM6B2 采用 SOT-23 小型封装，便于在高密度 PCB 设计中使用，并且支持表面贴装工艺，提高了制造效率。该器件的工作温度范围较宽，从 -55°C 到 +150°C，适用于多种工业和消费类电子应用。
　　该晶体管的集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）较低，有助于减少功耗并提高效率。最大集电极电流为 100mA，集电极-发射极电压（VCEO）为 30V，使其在中等功率应用中也能胜任。此外，ZMM6B2 的功耗为 300mW，能够在保持高性能的同时避免过热问题。其噪声性能和高频响应的结合，使其成为射频放大、信号处理、振荡器和混频器等应用的理想选择。

ZMM6B2 主要用于需要低噪声和高频率响应的电子电路中。它广泛应用于无线通信系统中的低噪声放大器（LNA），例如在 FM 接收机、无线局域网（WLAN）设备和蓝牙模块中。由于其高频特性，ZMM6B2 也常用于射频放大器、振荡器和混频器等高频信号处理电路。此外，该晶体管还可用于音频放大器的前置级，以提高信号的清晰度和质量。在消费类电子产品中，ZMM6B2 可见于便携式音频设备、电视机调谐器和无线遥控装置等。工业应用中，ZMM6B2 可用于传感器信号放大、数据采集系统和测试仪器中的前置放大电路。

BCX70, BFQ69, BFQ70, BFG21