器件类型：齐纳二极管
　　封装类型：SOD-123
　　标称齐纳电压：6.2V
　　最大齐纳电流：100mA
　　最大功耗：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ 150°C
　　最大反向漏电流（VR < VZ）：100nA @ 1V
　　齐纳阻抗（IZ=5mA）：10Ω max

ZMM55C6V2 T/R 是一款性能稳定的齐纳二极管，其核心特性在于提供精确的6.2V击穿电压，并在宽温度范围内保持稳定。该器件采用SOD-123小尺寸封装，非常适合空间受限的电路设计。其最大齐纳电流为100mA，可满足中等功率应用的需求，同时最大功耗为300mW，确保在常规工作条件下不会出现过热问题。
　　该器件的齐纳电压温度系数较低，通常在±50 ppm/°C范围内，使其在温度变化较大的环境中仍能保持良好的电压调节性能。此外，ZMM55C6V2 T/R 的反向漏电流非常低，在1V反向电压下最大仅为100nA，有助于减少待机功耗和提高电路效率。
　　由于采用表面贴装封装，ZMM55C6V2 T/R 具有良好的焊接性能和机械稳定性，适合自动化生产和回流焊工艺。其广泛应用于各种电子设备中的电压参考、稳压、过压保护和电平转换等功能电路。

ZMM55C6V2 T/R 主要用于需要稳定电压参考或电压调节的电路中。典型应用包括电源管理模块中的稳压电路、电池充电器中的电压限制保护、模拟电路中的基准电压源、ADC/DAC的参考电压输入、以及各类便携式电子设备中的低功耗稳压电路。
　　在工业控制系统中，该齐纳二极管可用于传感器信号调理、电压监测和过压保护等场景。此外，ZMM55C6V2 T/R 也常用于通信设备、消费电子产品（如智能手机、平板电脑）和汽车电子系统中，提供可靠的电压调节和电路保护功能。
　　在数字电路中，该器件可用于电平转换和接口电路中的电压限制，确保后级电路不会因过高的输入电压而损坏。其低漏电流特性也使其适用于低功耗设计，如物联网设备和无线传感器网络。

ZMM55C6V2-7-F, MMSZ5231B-7-F, 1N4735A, ZMM55C6V2-TP