类型：NPN晶体管阵列
　　晶体管数量：4个独立晶体管
　　最大集电极-发射极电压（Vceo）：30V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　增益（hFE）：范围通常在110至800之间（视具体晶体管而定）
　　工作温度范围：-65°C至+150°C
　　封装形式：14引脚DIP

ZMM55-C43 晶体管阵列具有多项显著特性，使其在多种电子电路设计中具有广泛的应用价值。
　　首先，该器件集成了4个独立的NPN晶体管单元，大大简化了电路设计的复杂度，减少了PCB板的空间占用，提高了系统的可靠性和集成度。这种高集成度的设计尤其适用于需要多个晶体管配合工作的逻辑门电路、放大电路和开关控制电路。
　　其次，ZMM55-C43的最大集电极-发射极电压（Vceo）为30V，最大集电极电流（Ic）为100mA，这使得它能够在中等功率应用中稳定工作。此外，其最大功耗为300mW，能够在较宽的温度范围内正常运行，工作温度范围从-65°C到+150°C，适合工业级和汽车电子应用。
　　再者，每个晶体管的增益（hFE）范围较广，通常在110至800之间，具体数值取决于工作电流和晶体管型号。这种可变增益特性允许用户根据不同的应用需求选择合适的晶体管单元，从而优化电路性能。
　　最后，ZMM55-C43采用14引脚DIP封装，便于手工焊接和测试，适用于原型设计和小批量生产。该封装形式也便于散热，有助于延长器件的使用寿命。
　　综合来看，ZMM55-C43晶体管阵列以其高集成度、稳定的工作参数、宽泛的温度适应性和灵活的增益调节能力，成为众多电子工程师在设计中常用的器件之一。

ZMM55-C43 主要应用于需要多个晶体管协同工作的电子电路设计中。其典型应用包括：
　　在数字电路中，ZMM55-C43常用于构建逻辑门电路（如与门、或门、非门等），特别是在需要多个晶体管实现复杂逻辑功能的场合。由于其集成度高，能够有效减少外部元件数量，简化电路布局，提高系统的稳定性。
　　在模拟电路中，ZMM55-C43可用于构建放大器电路，如音频放大器、信号放大器等。每个晶体管单元均可独立使用，适用于不同增益要求的放大电路设计。此外，该器件也可用于构建电压跟随器、缓冲器等电路，提高信号传输的稳定性和效率。
　　在开关电路中，ZMM55-C43的晶体管单元可用于控制负载的导通与关断，适用于LED驱动、继电器控制、电机控制等场景。其最大集电极电流为100mA，适合中低功率负载的控制。
　　此外，ZMM55-C43也广泛应用于工业控制、通信设备、汽车电子等领域，尤其是在需要高可靠性和宽温度适应性的环境中。例如，在汽车电子系统中，该器件可用于传感器信号处理、灯光控制、车载娱乐系统等。
　　总的来说，ZMM55-C43以其高集成度、稳定性能和广泛的应用适应性，成为电子设计中不可或缺的重要元件。

BCX56-10, ULN2003A, 2N3904, 2N2222