时间：2025/8/14 13:31:12
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ZMM55-C12_R1_10001 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款稳压二极管（齐纳二极管）。该器件属于 ZMM55 系列，是一种小型表面贴装封装的齐纳二极管，适用于各种电压参考和稳压应用。该型号的标称齐纳电压为 12V，公差通常为 ±5%。ZMM55-C12_R1_10001 采用 SOD-523 封装，具有体积小、响应速度快和稳定性高等特点，广泛应用于便携式电子产品、电源管理系统和电压监测电路中。
类型：齐纳二极管（Zener Diode）
标称齐纳电压：12V
电压公差：±5%
最大齐纳电流：200mA
最大耗散功率：300mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
封装类型：SOD-523
极性：单向
ZMM55-C12_R1_10001 齐纳二极管具有多个显著的电气和物理特性，适用于高精度和高稳定性的电路设计。
首先，该器件具有稳定的齐纳电压特性，在 12V 附近能够提供精确的电压钳位功能，适用于基准电压源、电压检测和稳压电路。其 ±5% 的电压公差在工业标准中属于较高精度范围，适用于对电压精度有一定要求的应用场景。
其次，ZMM55-C12_R1_10001 采用 SOD-523 小型封装，节省 PCB 空间，适合高密度电路设计。这种封装形式还具有良好的热稳定性和机械强度，能够适应多种工作环境。
此外，该齐纳二极管的最大齐纳电流可达 200mA，使其能够承受一定的负载波动，提高电路的可靠性。最大功耗为 300mW，在低功耗设计中表现良好。
其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，能够在极端温度环境下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品。
最后，ZMM55-C12_R1_10001 具有快速响应特性，能够在电压瞬态变化时迅速稳定电压，保护后级电路免受损坏。这种特性使其成为电源管理、过压保护和信号调节电路中的理想选择。
ZMM55-C12_R1_10001 主要用于需要稳定电压参考的电子电路中。常见的应用包括：电源稳压电路中的基准电压源；电压检测和比较电路中的参考点；过压保护电路中的钳位元件；模拟和数字电路之间的电压匹配；电池管理系统中的电压监测模块；以及消费类电子产品、工业控制系统和汽车电子设备中的电压调节和保护电路。
BZX84-C12, ZMM12, MMSZ5242B
