ZI4890B 时间：2025/12/26 22:12:32 阅读：9

ZI4890B是一款由Zetex（现属于Diodes Incorporated）生产的N沟道MOSFET晶体管，广泛应用于中等功率开关场合。该器件采用先进的TrenchFET技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点，适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及负载开关等多种应用场景。ZI4890B通常封装在SOT-23小外形晶体管封装中，这种小型化封装非常适合对空间要求较高的便携式电子设备。其栅极阈值电压适中，能够兼容3.3V或5V逻辑电平驱动，便于与微控制器或其他数字逻辑电路直接接口。此外，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护性能，提高了系统在恶劣工作环境下的可靠性。由于其优异的电气特性和紧凑的封装形式，ZI4890B被广泛用于消费类电子产品、工业控制系统和通信设备中作为高效能开关元件。

参数

型号：ZI4890B
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：SOT-23
　　漏源电压(VDS)：30V
　　连续漏极电流(ID)：2.3A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：9.2A
　　导通电阻(RDS(on))：42mΩ @ VGS=10V, 2.3A
　　导通电阻(RDS(on))：50mΩ @ VGS=4.5V, 2.3A
　　栅极阈值电压(VGS(th))：1.0V ~ 2.5V
　　最大功耗(PD)：500mW
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　输入电容(Ciss)：350pF @ VDS=15V
　　反向传输电容(Crss)：50pF @ VDS=15V
　　输出电容(Coss)：160pF @ VDS=15V

特性

ZI4890B采用先进的TrenchFET工艺技术，这一技术通过优化沟道结构显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。其典型RDS(on)值在VGS=10V时仅为42mΩ，在VGS=4.5V时为50mΩ，这使得它在低电压驱动条件下仍能保持较低的导通压降，特别适合电池供电设备中的节能设计。
　　该器件具有快速的开关响应能力，得益于较小的栅极电荷（Qg）和低输入/输出电容，能够在高频开关应用中有效减少开关损耗，提高电源转换效率。例如，在同步整流型DC-DC变换器中，ZI4890B可作为下管使用，实现高效的能量传递并降低温升。
　　热稳定性方面，ZI4890B的设计考虑了长期运行的可靠性，其最大结温可达150°C，并具备良好的热阻特性，能够在有限散热条件下稳定工作。同时，内置的体二极管具有一定的反向恢复能力，适用于需要续流功能的拓扑结构。
　　静电防护方面，该MOSFET具备一定级别的HBM ESD保护（通常超过2kV），增强了在装配和使用过程中的抗干扰能力。此外，SOT-23封装不仅节省PCB空间，还支持自动化贴片生产，有利于大批量制造。综合来看，ZI4890B在性能、尺寸与成本之间实现了良好平衡，是中小功率开关应用的理想选择之一。

应用

ZI4890B因其高效率、小尺寸和良好的驱动兼容性，广泛应用于各类便携式电子设备中，如智能手机、平板电脑、移动电源等，常用于电池充放电管理电路中的负载开关或路径控制。在这些应用中，它能够快速接通或切断电源路径，防止反向电流流动，并在待机模式下降低系统功耗。
　　在电源管理系统中，ZI4890B可用于构建低压降稳压器（LDO）的通路控制，或作为DC-DC降压/升压转换器中的同步整流开关，提升转换效率，减少发热。其低RDS(on)特性有助于降低传导损耗，尤其在大电流输出场景下表现突出。
　　工业控制领域中，该器件适用于继电器替代、电机驱动、LED驱动及传感器电源控制等场景。例如，在小型直流电机调速电路中，ZI4890B可作为H桥电路的一部分，实现正反转和PWM调速功能。
　　通信设备中，ZI4890B可用于信号切换或多路电源选择电路，确保信号完整性的同时提供可靠的电源隔离。此外，由于其具备较强的抗干扰能力和宽温度工作范围，也可用于汽车电子外围模块，如车载USB充电口、灯光控制单元等非关键安全系统中。总之，凡涉及低电压、中等电流开关控制的应用，ZI4890B均具备较强的适用性。