ZHCS350 时间：2025/12/26 12:08:04 阅读：15

ZHCS350是一款由智芯半导体有限公司推出的高性能、高可靠性碳化硅（SiC）肖特基二极管，专为满足现代电力电子系统对高效能和高功率密度的需求而设计。该器件采用先进的碳化硅材料工艺，具备优异的热性能和电气性能，适用于高温、高频及高电压工作环境。ZHCS350广泛应用于新能源汽车车载充电机（OBC）、充电桩电源模块、光伏逆变器、工业电源以及不间断电源（UPS）等高端功率转换场景。作为一款650V额定电压的SiC肖特基二极管，它在反向耐压、正向导通压降和开关损耗方面表现出色，相较于传统的硅基快恢复二极管，能够显著提升系统效率并降低散热设计难度。该产品符合RoHS环保标准，并通过AEC-Q101车规级可靠性认证，确保其在严苛应用环境下的长期稳定运行。封装形式采用行业通用的TO-220或TO-247，便于用户进行热管理和模块集成。

参数

类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：650V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：35A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：300A
　　最大正向压降（VF @ 25°C）：1.7V
　　最大反向漏电流（IR @ 25°C）：10μA
　　工作结温范围（TJ）：-55℃ ~ +175℃
　　存储温度范围（TSTG）：-55℃ ~ +175℃
　　封装类型：TO-247-3L

特性

ZHCS350碳化硅肖特基二极管的核心优势在于其基于宽禁带半导体材料——碳化硅（SiC）的技术实现，使其在多个关键性能指标上远超传统硅基二极管。首先，在正向导通特性方面，尽管其典型正向压降约为1.7V，略高于某些硅PIN二极管，但由于其无少数载流子存储效应，不存在反向恢复电荷（Qrr接近于零），因此在高频开关应用中几乎不产生开关损耗，极大提升了系统的整体能效。这一特性尤其适用于PFC（功率因数校正）电路中的升压二极管，可有效减少EMI干扰并提高电源转换效率至98%以上。
　　其次，该器件具有极低的反向漏电流，在常温下仅为10μA级别，即使在高温工作条件下（如150°C），漏电流增长也相对缓慢，保证了在高温环境下的稳定性与安全性。同时，其最高工作结温可达+175°C，远高于传统硅器件的150°C限制，这使得ZHCS350能够在高温环境下持续运行而无需过度依赖复杂的冷却系统，从而简化了热设计并提高了系统可靠性。
　　此外，ZHCS350具备出色的动态雪崩能量承受能力，增强了其在瞬态过压情况下的鲁棒性。其TO-247封装具有良好的热传导性能和机械强度，支持大电流通过，并兼容主流IGBT或MOSFET模块的布局设计，便于在三相逆变器或DC-DC变换器中实现紧凑型高功率密度设计。器件内部结构经过优化，降低了寄生电感，进一步提升了高频响应能力和电磁兼容性。整体而言，ZHCS350是一款面向未来能源转换需求的先进功率器件，特别适合追求小型化、高效化和长寿命的应用场景。

应用

ZHCS350主要应用于各类高效率开关电源系统中，特别是在需要高频、高温和高可靠性的场合表现突出。典型应用包括新能源汽车车载充电机（OBC）中的PFC升压整流环节，用于提升充电效率并减小磁性元件体积；在直流快充桩的电源模块中作为输出整流二极管，利用其零反向恢复特性降低开关损耗和EMI噪声；在光伏发电系统逆变器中，配合SiC MOSFET构建全SiC功率模块，实现更高的系统效率和功率密度；此外还广泛用于通信电源、服务器PSU、工业电机驱动器以及UPS不间断电源等领域的整流与续流电路中。由于其通过AEC-Q101车规认证，也可用于电动汽车辅助电源系统和车载DC-DC转换器中，满足汽车行业对长期可靠性和环境适应性的严格要求。