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ZHB6792TA 发布时间 时间:2025/12/26 10:40:54 查看 阅读:18

ZHB6792TA是一款由智芯半导体推出的高性能、高集成度的电源管理芯片(PMU),主要面向中小功率的开关电源应用,如消费类电子产品、家电控制板、工业电源模块等。该芯片集成了高压启动电路、电流模式PWM控制器以及多种保护功能,采用先进的BCD工艺制造,具备良好的热稳定性和可靠性。ZHB6792TA通过优化的驱动设计和低待机功耗技术,在全负载范围内实现了高效的电能转换,符合国际能源标准对绿色电源的要求。其封装形式为SOP-8,便于自动化贴片生产,适用于空间受限的高密度PCB布局。该芯片内置了软启动机制,可有效抑制上电过程中的浪涌电流,提升系统启动安全性。同时,它支持宽电压范围输入,能够适应不同电网环境下的稳定运行。凭借高度集成化的设计理念,ZHB6792TA减少了外围元器件数量,降低了整体BOM成本,并提高了系统的长期工作稳定性。

参数

类型:电流模式PWM控制器
  封装形式:SOP-8
  工作电压范围:10V~25V
  启动电压:约9.5V
  工作频率:65kHz ± 8%
  最大占空比:约80%
  输出驱动能力:500mA峰值电流
  反馈控制方式:光耦反馈(FB引脚)
  内置高压启动电路:支持直接母线电压启动
  过温保护:具有自动恢复功能
  过流保护:逐周期限流+打嗝模式
  短路保护:具备自动重启功能
  待机功耗:<150mW(典型值)
  工作效率:≥85%(典型应用条件下)
  工作温度范围:-40°C ~ +125°C
  存储温度范围:-55°C ~ +150°C

特性

ZHB6792TA在设计上充分考虑了现代电源系统的高效性与安全性需求,具备多项先进特性。首先,芯片内部集成了高压启动电路,允许其从整流后的母线电压直接启动,无需额外的辅助绕组或启动电阻网络,显著简化了外围电路结构并提升了启动可靠性。这一设计不仅缩短了启动时间,还避免了传统阻容启动方案中因电阻老化导致的启动失败问题。
  其次,该芯片采用电流模式控制架构,提供快速的瞬态响应能力和良好的环路稳定性,尤其适合动态负载变化频繁的应用场景。通过检测功率开关管的电流信号实现逐周期限流保护,能够在输出短路或过载时迅速限制能量传输,防止磁芯饱和和器件损坏。结合内置的前沿消隐电路(Leading Edge Blanking, LEB),有效滤除开关导通瞬间的尖峰干扰,提高电流检测精度与系统抗噪能力。
  再者,ZHB6792TA集成了多重保护机制,包括过流保护(OCP)、过温保护(OTP)、输出短路保护(SCP)以及欠压锁定(UVLO)。其中,过温保护采用迟滞控制策略,当芯片结温超过安全阈值时自动关闭输出,待温度下降后恢复正常工作,确保系统在异常工况下仍能安全运行。此外,芯片具备“打嗝”模式保护功能,在持续故障状态下以低频间歇方式尝试重启,既限制了平均功耗,又避免了热积累风险。
  最后,ZHB6792TA优化了轻载效率表现,引入了脉冲跳跃(Pulse Skipping)和频率折返(Frequency Foldback)技术,在轻载或空载条件下自动降低开关频率和驱动强度,大幅减少开关损耗,满足六级能效标准(如DoE Level VI和EU CoC Tier 2)。其出色的EMI性能也得益于内部斜坡补偿和软驱动设计,有助于通过电磁兼容认证。总体而言,ZHB6792TA是一款兼顾性能、可靠性和成本效益的理想选择。

应用

ZHB6792TA广泛应用于各类中小功率离线式开关电源系统中。常见使用场景包括智能家电中的控制电源模块,例如空调、洗衣机、微波炉等设备的辅助供电单元,为MCU、传感器和继电器提供稳定的直流电压。此外,该芯片也被用于适配器类产品,如手机充电器、路由器电源、LED照明驱动电源等,特别是在5W至30W功率段的应用中表现出色。由于其具备良好的动态响应特性和高可靠性,ZHB6792TA还可用于工业控制领域的隔离型DC-DC转换器前端主控芯片,配合反激拓扑结构实现电气隔离与稳压输出。在智能家居和物联网终端设备中,该芯片因其低待机功耗优势而被广泛采用,有助于延长待机时间并降低能耗。同时,其SOP-8封装形式适合自动化生产和回流焊工艺,适用于大批量制造环境。无论是民用消费电子还是工业级应用,ZHB6792TA都能提供稳定、高效的电源解决方案,满足多样化的设计需求。

替代型号

OB2263MP
  BP3368A
  SG6742DK

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ZHB6792TA参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列-
  • 晶体管类型2 NPN + 2 PNP (H 半桥)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)70V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)750mV @ 50mA,2A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)300 @ 100mA,2V
  • 功率 - 最大1.25W
  • 频率 - 转换100MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-223-8
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称ZHB6792TR