时间：2025/6/22 5:09:05
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ZGM130S037HGN2是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于功率转换和电机驱动等应用领域。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够显著提升系统的效率和可靠性。
这款MOSFET属于N沟道增强型，适用于多种工业和消费类电子产品中的功率管理场景。
类型：N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(VDS)：40V
最大栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：37A
导通电阻(RDS(on))：3.7mΩ
总功耗(PD)：190W
工作温度范围(TJ)：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263-3
1. 极低的导通电阻（RDS(on)仅为3.7mΩ），可有效降低功率损耗，提高系统效率。
2. 高电流承载能力（37A连续漏极电流），适合大功率应用。
3. 快速开关特性，有助于减少开关损耗并提升动态性能。
4. 强大的热稳定性，能够在宽广的工作温度范围内保持性能。
5. 小型化封装设计（TO-263-3），节省PCB空间，同时便于散热管理。
6. 高可靠性设计，满足严格的工业标准要求。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 工业自动化设备
5. 消费类电子产品的功率管理模块
6. 太阳能逆变器和电池管理系统（BMS）
