时间：2025/6/14 19:33:04
阅读：4
ZGC050TD36K2750是一款高性能的功率MOSFET芯片，专为高效率、高频开关应用设计。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术制造，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，适合用于直流-直流转换器、电源适配器、LED驱动器以及其他需要高效功率管理的应用场景。
这款芯片具有出色的热性能和电气稳定性，在高负载条件下依然能够保持高效的能量转换。同时，其封装形式经过优化，便于在紧凑型电路板上集成。
型号：ZGC050TD36K2750
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：50A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
总栅极电荷(Qg)：180nC
输入电容(Ciss)：3200pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
ZGC050TD36K2750的核心特点是其低导通电阻和高耐压能力，这使得它能够在大电流和高压环境下实现更少的能量损耗。
1. 高效的沟槽式结构降低了Rds(on)，从而减少传导损耗。
2. 快速开关速度和低栅极电荷确保了较低的开关损耗。
3. 良好的热稳定性和高击穿电压使其适用于恶劣的工作环境。
4. 封装散热性能优越，能够有效降低芯片运行时的结温。
5. 支持宽广的工作温度范围，满足工业级及汽车级应用需求。
该芯片广泛应用于多种电力电子领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管。
2. 电机驱动控制电路中的功率级元件。
3. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 电动车充电站和其他需要高效率功率处理的场景。
ZGC050TD36K2750凭借其优异的性能表现，成为这些应用的理想选择。
IRFP250N
STW12NK60Z
FDP18N65C
IXYS10N65C3
