时间：2025/7/7 18:48:55
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ZGC031TD30K1350 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制领域。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提升系统的效率和稳定性。
其封装形式为 TO-220，具有良好的散热性能，适合在高功率环境下工作。
型号：ZGC031TD30K1350
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：13.5A
导通电阻(Rds(on))：300mΩ
功耗(PD)：140W
结温范围(Tj)：-55℃ 至 +175℃
封装：TO-220
ZGC031TD30K1350 具备以下关键特性：
1. 高耐压能力：支持高达 650V 的漏源电压，适用于高压应用场景。
2. 低导通电阻：300mΩ 的导通电阻确保了较低的传导损耗，提升了系统效率。
3. 快速开关性能：具备优异的开关速度，减少开关损耗。
4. 强大的电流承载能力：最大漏极电流为 13.5A，能够满足大功率应用需求。
5. 高可靠性：经过严格测试，能够在极端温度范围内稳定工作，适应恶劣环境。
6. 封装优势：采用 TO-220 封装，提供良好的散热性能，便于集成到各种电路设计中。
ZGC031TD30K1350 主要应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)：作为主开关管或同步整流管，提高电源转换效率。
2. 电机驱动：用于控制直流电机或步进电机的速度和方向。
3. 工业控制：应用于逆变器、变频器等设备中，实现高效能量转换。
4. 照明系统：用于 LED 驱动电路，提供稳定的电流输出。
5. 汽车电子：适用于车载充电器、电动助力转向系统等汽车相关应用。
ZGC031TD30K1500
IRF840
STP17NF50
