工作频率范围：10 MHz 至 3 GHz
　　插入损耗：典型值 0.35 dB（最大 0.45 dB）
　　隔离度：典型值 60 dB（在 3 GHz 时）
　　功率处理能力：最大输入功率 30 dBm（连续波）
　　切换时间：上升时间 / 下降时间小于 10 ns
　　控制电压：+3.3 V 至 +5 V TTL/CMOS 兼容
　　封装类型：8 引脚表面贴装封装（SMD）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

ZFSWA2R-63DR+ 具备多项高性能特性，适用于广泛射频系统设计。首先，其频率范围覆盖 10 MHz 到 3 GHz，使其适用于多种无线通信系统，包括蜂窝通信、Wi-Fi、蓝牙、Zigbee 等应用场景。该器件的插入损耗非常低，典型值仅为 0.35 dB，有助于最大限度地减少信号衰减，提高系统整体性能。在隔离度方面，ZFSWA2R-63DR+ 在 3 GHz 时可提供高达 60 dB 的隔离，有效防止端口之间的信号串扰，确保信号切换的纯净性。
　　该射频开关支持高达 30 dBm 的连续波输入功率，适用于中高功率射频系统的应用，例如测试设备和射频前端模块。切换速度极快，上升时间和下降时间均小于 10 ns，使其适用于需要快速信号切换的实时控制系统。
　　ZFSWA2R-63DR+ 采用 8 引脚表面贴装封装，便于自动化生产和 PCB 集成，且支持 -40°C 至 +85°C 的宽温范围工作，适应性强，适合工业级应用环境。控制接口兼容 TTL/CMOS 电平（+3.3 V 至 +5 V），简化了与数字控制电路的连接，无需额外的电平转换电路。
　　作为一款吸收式射频开关，ZFSWA2R-63DR+ 在非选通状态下会吸收输入信号能量，而不是将其反射回去，从而减少对前级电路的干扰，提升系统的稳定性和可靠性。

ZFSWA2R-63DR+ 适用于多种射频和微波应用领域。在通信系统中，该器件常用于多频段切换、天线切换、发射与接收通道切换等场景。它也广泛用于测试与测量设备中，如频谱分析仪、信号发生器和网络分析仪，用于自动切换不同的测试路径或设备端口，提高测试效率。
　　在无线基础设施方面，ZFSWA2R-63DR+ 可用于基站和中继器中的射频路径切换，实现多频段或多模式操作。此外，在工业控制系统、雷达、医疗成像设备以及航空航天电子系统中，该射频开关也常用于实现高精度信号路由和系统冗余切换。
　　由于其低插入损耗、高隔离度和良好的功率处理能力，ZFSWA2R-63DR+ 也适用于软件定义无线电（SDR）、远程无线电头（RRH）以及射频识别（RFID）系统中的关键信号控制环节。

HMC649ALP3E, PE4263, SKY12243-396LF