工作频率范围：20 MHz - 2 GHz
　　增益：约20 dB
　　输出三阶交调截点（OIP3）：+38 dBm
　　噪声系数：2.5 dB
　　输入驻波比（VSWR）：< 2.0:1
　　输出驻波比（VSWR）：< 2.5:1
　　电源电压：+12 V 至 +15 V
　　电流消耗：约180 mA
　　封装形式：8引脚金属封装（ZFL）

ZFL-2000+ 具备宽频带特性，能够在20 MHz至2 GHz的范围内保持稳定的增益和低噪声系数，适用于多种射频应用。其高线性度设计（OIP3为+38 dBm）使其非常适合用于需要高动态范围的系统中，如频谱分析仪和信号发生器。此外，ZFL-2000+ 的输入和输出匹配良好，减少了外部匹配电路的需求，从而简化了设计流程。
　　该芯片采用了Mini-Circuits先进的GaAs FET技术，确保在高频率下仍具有优异的性能。其工作温度范围宽（通常为-55°C至+85°C），适用于工业级和军事级应用。ZFL-2000+ 还具有良好的热稳定性和抗干扰能力，能够在复杂电磁环境中可靠工作。
　　值得一提的是，ZFL-2000+ 的供电范围较宽（+12 V至+15 V），提高了在不同电源条件下的适应性。其功耗相对较低，适合用于对功耗敏感的便携式设备。

ZFL-2000+ 广泛应用于射频和微波系统中，特别是在需要宽带放大和高线性度的场景中表现突出。常见的应用包括通信测试设备、频谱分析仪、信号发生器、无线电接收机前端、无线基础设施设备以及工业控制系统等。此外，该芯片也常用于军事和航空航天领域的射频测试和测量系统。
　　在无线通信系统中，ZFL-2000+ 可用于中继器、基站放大器和分布式天线系统（DAS）中，以提升信号质量和系统覆盖范围。在测试设备中，该芯片作为前置放大器或中频放大器，能够有效提升测量精度和灵敏度。由于其良好的稳定性和宽频特性，ZFL-2000+ 也常用于科研和教育领域的射频实验平台。

ZFL-2000+ 的替代型号包括 ZFL-2001+、ZFL-1000+ 和 ERA-3SM+。这些型号在性能和封装上具有相似之处，可根据具体应用需求进行选型。