时间：2025/9/16 16:20:44
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ZFHP-0R055B-S+ 是一只由 IXYS 公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，广泛用于高功率和高频率的开关应用。该型号具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，适用于电源转换器、电机驱动、DC-DC转换器等高性能电子系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：200A
最大漏源电压（VDS）：100V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：0.0055Ω
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
功率耗散（PD）：300W
ZFHP-0R055B-S+ 是一款高性能的N沟道增强型MOSFET，具有极低的导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，使其在大功率应用中表现出色。该器件采用了先进的沟槽技术，提高了导电效率并降低了开关损耗，从而提升整体系统效率。
此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其TO-263（D2PAK）表面贴装封装形式不仅提高了散热性能，还便于在PCB上安装，适用于自动化生产流程。
其±20V的栅源电压耐受能力增强了器件的抗干扰能力，使其在复杂的驱动条件下仍能保持稳定运行。该器件的高可靠性使其成为工业电源、电动工具、汽车电子和可再生能源系统中的理想选择。
该MOSFET主要应用于各类高功率密度和高效率要求的电子系统中，例如：DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）、工业自动化设备和电动车电源系统等。其优异的导通特性和热管理性能使其在高频开关应用中表现尤为出色。
IRF1405ZPBF, ZXMHC3A0N08T, FDP100N10, SiR142DP-T1-GE3
