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ZE064W-8DP-HU/R(A) 发布时间 时间:2025/9/4 4:41:23 查看 阅读:5

ZE064W-8DP-HU/R(A) 是一款由东芝(Toshiba)推出的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)驱动器集成电路。该器件专为高效、高性能的电源转换应用而设计,广泛用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理和工业自动化系统中。ZE064W-8DP-HU/R(A) 采用高集成度设计,具备强大的驱动能力和灵活的保护机制,确保系统在高频率和高负载条件下稳定运行。

参数

类型:MOSFET驱动器
  封装类型:SSOP
  引脚数:14
  工作电压范围:4.5V 至 18V
  输出电流(峰值):±1.5A
  传播延迟时间:典型值50ns
  输入逻辑电平:TTL/CMOS兼容
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  电源电压(Vcc):4.5V ~ 18V
  驱动能力:高侧和低侧双通道驱动
  封装尺寸:符合JEDEC标准的SSOP封装

特性

ZE064W-8DP-HU/R(A) 提供了出色的电气性能和热稳定性。其高驱动电流能力(±1.5A)能够快速充放电MOSFET栅极电容,从而降低开关损耗并提高效率。该器件具有较宽的工作电压范围(4.5V至18V),使其适用于多种电源架构。其TTL/CMOS兼容输入使它能够轻松与微控制器、PWM控制器或其他数字电路接口。
  该MOSFET驱动器内部集成了死区时间控制和欠压锁定(UVLO)功能,确保在电源电压不足时不触发MOSFET,从而防止误导通和功率损耗。此外,其短传播延迟(典型值50ns)有助于提高高频开关应用中的响应速度和效率。
  ZE064W-8DP-HU/R(A) 采用热增强型SSOP封装,具有良好的散热性能和空间利用率,适合在紧凑型PCB设计中使用。该器件符合RoHS环保标准,适用于工业级温度范围(-40°C至+125°C),可在严苛环境中稳定运行。

应用

ZE064W-8DP-HU/R(A) 主要用于各种电源管理与电机控制系统中。典型应用包括同步整流DC-DC转换器、H桥电机驱动、功率因数校正(PFC)电路、电池管理系统(BMS)、工业自动化设备和开关电源(SMPS)等。由于其高驱动能力和宽输入电压范围,该器件非常适合用于需要高效能、高频率开关操作的场合。
  在电机控制应用中,ZE064W-8DP-HU/R(A) 可作为H桥驱动的核心部分,控制上下桥臂MOSFET的导通与关断,从而实现电机的正反转、调速和制动。在电源转换器中,该器件可与PWM控制器配合使用,驱动功率MOSFET进行高效的能量转换。
  此外,该IC还常用于太阳能逆变器、电动工具、电动车辆(EV/HEV)中的功率控制模块以及各种工业自动化设备的电源管理单元中,提供可靠且高效的驱动解决方案。

替代型号

TC4420AOA, IRS2104S, MIC5021YM, FAN3224T

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ZE064W-8DP-HU/R(A)参数

  • 现有数量208现货
  • 价格1 : ¥48.74000托盘
  • 系列ZE064W
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 连接器类型插头
  • 触头类型公形引脚
  • 针位数8
  • 间距-
  • 排数2
  • 排距-
  • 安装类型面板安装
  • 触头端接压接
  • 紧固类型锁销滑道
  • 颜色黑色
  • 特性安装法兰,密封式,防水
  • 工作温度-40°C ~ 125°C