型号：ZDX130N50
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压VDS：500V
　　栅源电压VGS：±30V
　　连续漏极电流ID：13A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流IDM：52A
　　导通电阻RDS(on)：≤0.13Ω（@ VGS=10V, ID=6.5A）
　　阈值电压VGS(th)：2.0~4.0V
　　输入电容Ciss：1800pF（@ VDS=25V）
　　输出电容Coss：500pF（@ VDS=25V）
　　反向恢复时间trr：≤45ns
　　工作结温范围Tj：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220/TO-263

ZDX130N50的核心优势在于其优异的导通性能和高耐压能力之间的平衡。其低导通电阻RDS(on)确保了在大电流工作条件下仍能保持较低的导通损耗，这对于提高电源转换效率至关重要。例如，在6.5A的工作电流下，RDS(on)不超过0.13Ω，意味着导通压降仅为0.845V，相应的功率损耗约为5.5W，显著低于传统MOSFET器件。这不仅有助于减少发热，还能降低对散热系统的依赖，从而缩小整机体积并降低成本。
　　该器件采用了优化的沟槽栅结构，有效提升了载流子迁移率，同时降低了栅极电荷Qg和米勒电荷Qgd，使得开关速度更快，开关损耗更小。在高频开关应用如LLC谐振变换器或有源钳位反激电路中，这一特性尤为关键。低Qg意味着驱动电路所需提供的电流更少，可兼容通用的驱动IC，简化了外围电路设计。
　　热稳定性方面，ZDX130N50具备出色的热阻特性，结到壳热阻Rth(j-c)典型值为1.7℃/W，配合良好的散热片设计，可在高负载持续运行时维持安全的工作温度。其最大结温可达150℃，支持宽范围环境温度应用，适合工业级和车载环境使用。
　　此外，器件内部集成了快速体二极管，具备较短的反向恢复时间（trr ≤ 45ns），减少了在感性负载关断时产生的反向恢复电流尖峰，降低了EMI干扰风险。同时，该MOSFET通过了严格的可靠性测试，包括高温栅极偏置（HTGB）、高温高压反向偏置（HTRB）和温度循环测试，确保长期使用的稳定性与安全性。

ZDX130N50因其高耐压、低导通电阻和良好的开关特性，被广泛应用于多种中高功率电子系统中。在开关电源领域，它常用于AC-DC适配器、服务器电源、LED驱动电源等拓扑结构中，作为主开关管或同步整流管使用，尤其适用于反激式（Flyback）、正激式（Forward）和半桥（Half-Bridge）等电路架构。其500V的额定电压足以应对市电整流后的母线电压波动，确保系统在输入电压突变时仍能安全运行。
　　在DC-DC转换器中，ZDX130N50可用于升压（Boost）、降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）电路，特别是在需要较高输出功率的应用场景中表现出色。例如，在太阳能逆变器或电动车充电模块中，该器件能够高效地实现能量转换与调节。
　　电机驱动方面，ZDX130N50可用于小型直流电机、步进电机或无刷直流电机（BLDC）的H桥驱动电路中，承担功率开关角色。其快速的开关响应能力和较强的过载承受能力使其在启停频繁、负载变化剧烈的工况下依然保持稳定性能。
　　此外，该器件也适用于UPS不间断电源、工业自动化控制系统、电焊机电源、电磁炉等家电产品中的功率控制单元。由于其封装兼容性强，易于安装与更换，因此在维修替换市场上也有较高的接受度。

STP13NK50ZFP
　　IRFBC40
　　FQP13N50