制造商：Vishay Semiconductor
　　产品系列：Zener Diodes
　　型号：ZB6PD-2-N+
　　封装/外壳：SOD-323
　　齐纳电压（Vz）：6.2 V
　　测试电流（IzT）：5 mA
　　最大齐纳阻抗（Zzt）：10 Ω
　　最大功率耗散：200 mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　存储温度范围：-65°C ~ 150°C
　　极性：单路齐纳二极管
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　湿度敏感等级（MSL）：1（无限）

ZB6PD-2-N+ 齐纳二极管具备出色的电压稳定性和温度系数表现，其额定齐纳电压为 6.2V，这一电压值在所有齐纳二极管中具有最低的温度系数，通常接近于零，意味着在宽温度范围内电压漂移极小，非常适合用作精密电压参考源。该特性得益于硅 PN 结在约 6.2V 击穿时，齐纳效应与雪崩效应相互抵消，从而实现最佳的热稳定性。这种优异的温度性能使得 ZB6PD-2-N+ 在环境温度波动较大的工业控制、汽车电子和测量仪器中表现出色。
　　该器件采用 SOD-323 小型表面贴装封装，尺寸仅为 1.7mm x 1.25mm x 1.0mm，极大节省了 PCB 空间，适合高密度组装和自动化贴片工艺。封装材料具有良好的散热性能和机械强度，能够有效传导热量并防止因热应力导致的失效。此外，器件经过严格的可靠性测试，包括高温反向偏置（HIRB）、高温存储寿命（HTSL）和温度循环等，确保在恶劣环境下长期稳定运行。
　　ZB6PD-2-N+ 的最大功率耗散为 200mW，在适当的散热条件下可支持持续工作电流。其低动态阻抗（典型值 10Ω）意味着在负载变化或输入波动时，输出电压保持高度稳定，提升了系统的整体精度。该器件还具有快速响应能力，能够在纳秒级时间内对电压突变做出反应，有效抑制瞬态过压，保护敏感 IC 免受静电放电（ESD）或电源浪涌的影响。由于其单向击穿特性，仅在反向偏置时起作用，正向导通电压约为 0.7V，可兼作普通二极管使用。综合来看，ZB6PD-2-N+ 是一款高性能、高可靠性的电压基准和保护元件，适用于对精度和稳定性有严格要求的应用场合。

ZB6PD-2-N+ 广泛应用于需要稳定参考电压或过压保护的电子系统中。常见用途包括电源稳压电路中的电压基准源，特别是在低压直流电源、LDO 调节器反馈网络以及 ADC/DAC 参考电压生成中发挥关键作用。其稳定的 6.2V 输出可用于校准和补偿其他模拟电路的温漂。在信号调理电路中，该器件可用于钳位和限幅，防止输入信号超出安全范围，保护运算放大器或数据转换器等精密器件。
　　在消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，ZB6PD-2-N+ 被用于电池管理单元（BMU）和充电控制电路中，提供精确的电压检测点。在工业自动化领域，它可用于传感器接口电路，为桥式传感器或热电偶提供偏置电压或保护。汽车电子系统中，该器件适用于车身控制模块、车载信息娱乐系统和辅助驾驶系统的电源监控部分，满足 AEC-Q101 认证要求的高可靠性组件虽然此型号未明确标注 AEC-Q101，但其宽温范围和高稳定性仍适用于非动力总成类车载应用。
　　此外，ZB6PD-2-N+ 还常用于 ESD 保护电路，尤其是在高速数据线或 I/O 引脚上，结合 TVS 二极管形成多级防护结构。其快速响应和低钳位电压特性有助于降低瞬态能量对主控芯片的冲击。在测试与测量设备中，该器件作为标准电压源参与电路校准流程，确保测量结果的准确性。总之，ZB6PD-2-N+ 凭借其优异的电气性能和紧凑封装，成为众多电子设计中不可或缺的基础元件。

BZT52C6V2-E3-08|PMBZ52C6V2,115|MMBZ52C6V2-TP|SZMBZ52C6V2T1G|ZMM6V2