型号：ZAD-2B+
　　制造商：Mini-Circuits
　　封装类型：Surface Mount
　　工作温度范围：-55°C to +85°C
　　存储温度范围：-55°C to +100°C
　　RF频率范围：10 MHz to 6 GHz
　　LO频率范围：400 MHz to 6 GHz
　　IF频率范围：DC to 6 GHz
　　本振驱动电平：+7 dBm（典型值）
　　转换损耗：7.5 dB（典型值）
　　输入P1dB：+10 dBm（典型值）
　　IIP3：+20 dBm（典型值）
　　LO-RF隔离度：35 dB（最小值）
　　LO-IF隔离度：30 dB（最小值）
　　RF-IF隔离度：25 dB（最小值）
　　阻抗匹配：50 Ω
　　VSWR（所有端口）：< 2.0:1

ZAD-2B+ 混频器的核心特性之一是其宽频带操作能力，支持从10 MHz到6 GHz的射频输入频率，同时兼容400 MHz至6 GHz的本振激励，使得它可以在多种频率配置下灵活使用。这种宽频特性特别适用于多频段通信系统或宽带接收机前端设计，无需更换混频器即可适应不同信道的变频需求。其DC至6 GHz的中频带宽也允许传输复杂的调制信号或宽带基带信息，增强了系统的通用性。
　　另一个显著特点是低本振驱动要求。ZAD-2B+ 只需+7 dBm的LO功率即可达到最优转换效率，相比许多需要更高驱动电平的混频器，这一特性显著降低了系统对高功率本振源的需求，从而节省功耗并简化驱动电路设计。这对于便携式设备或电池供电系统尤为重要。
　　该器件具备出色的线性性能指标，典型输入三阶截点（IIP3）高达+20 dBm，表明其在处理大信号或多载波环境时具有很强的抗互调干扰能力。结合+10 dBm的输入压缩点（P1dB），ZAD-2B+ 能够在高动态范围内稳定工作，适用于高密度信号环境下的精确信号处理任务。
　　其双平衡拓扑结构不仅提高了端口间的隔离度，还有效抑制了偶次谐波失真，提升了整体信号质量。LO到RF和LO到IF的高隔离度（分别优于35 dB和30 dB）减少了本振信号泄露到天线或中频处理链路的可能性，避免造成自激或干扰。
　　此外，ZAD-2B+ 采用小型化表面贴装封装，尺寸紧凑，适合高密度PCB布局，并且符合RoHS环保标准，适用于现代商业与工业级射频模块制造。

ZAD-2B+ 广泛应用于各类高频电子系统中，尤其是在需要高性能混频功能的通信和信号处理领域。一个典型应用场景是在软件定义无线电（SDR）系统中作为核心变频组件，用于将接收到的射频信号下变频至中频进行数字化处理，或在发射路径中将中频信号上变频至指定频段发射。
　　在测试与测量设备中，如频谱分析仪、信号发生器和网络分析仪，ZAD-2B+ 常被用作前端混频单元，因其低噪声、高线性度和宽频响应特性，可确保测量结果的准确性与一致性。
　　在无线基础设施方面，该混频器可用于蜂窝基站、微波回传链路和卫星通信终端中的上下变频模块，支持多标准、多频段运行，满足现代通信网络对灵活性和可靠性的要求。
　　此外，ZAD-2B+ 还适用于雷达系统、电子战设备和航空航天电子系统，在这些对电磁兼容性和信号完整性要求极高的场合中表现出色。其坚固的结构设计和宽温工作能力使其能在恶劣环境下稳定运行。
　　由于其无源特性，ZAD-2B+ 在需要低功耗和高动态范围的应用中尤为受欢迎，例如远程传感器节点、宽带监视系统和认知无线电平台等。通过合理匹配外部滤波和放大电路，ZAD-2B+ 可构成高性能混频链路的核心部分，提供稳定可靠的频率转换服务。

ZAD-4H+
　　ZX05-63L-S+M
　　MIXX-0512L5