型号：ZAD-2+
　　封装类型：表贴封装（SMD）
　　工作频率 - RF输入：100 MHz 至 3.0 GHz
　　工作频率 - LO输入：100 MHz 至 3.0 GHz
　　工作频率 - IF输出：DC 至 1.4 GHz
　　本振（LO）驱动电平：+7 dBm
　　转换损耗：典型值 6.5 dB
　　镜频抑制比：典型值 35 dB
　　端口隔离度（LO-RF）：典型值 25 dB
　　端口隔离度（LO-IF）：典型值 20 dB
　　端口隔离度（RF-IF）：典型值 20 dB
　　输入三阶交调截点（IIP3）：典型值 +15 dBm
　　阻抗匹配：50 Ω
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +100°C
　　安装方式：表面贴装
　　无铅/符合RoHS：是

ZAD-2+ 混频器具备优异的镜频抑制能力，这是其核心优势之一。在超外差接收机架构中，镜像频率干扰是一个常见问题，它会导致信号质量下降和信噪比恶化。ZAD-2+ 通过内部集成的90度混合耦合器结构和精密匹配的二极管对，实现对镜像频率的有效抑制，典型值可达35 dB，显著降低了外部滤波器的设计复杂度。这种结构使得RF和LO信号经过相位处理后，在IF端口叠加时镜像分量相互抵消，从而提升整体系统选择性。
　　该器件的转换损耗控制在6.5 dB左右，对于无源混频器而言属于较优水平。较低的转换损耗意味着更强的信号传递效率，有助于减少后续放大级的压力，提升整个接收链路的噪声系数表现。同时，ZAD-2+ 具有良好的端口间隔离特性，特别是LO到RF和LO到IF的隔离度分别达到25 dB和20 dB以上，有效防止本振泄漏对前端低噪声放大器或后级电路造成干扰，提高了系统的电磁兼容性和稳定性。
　　ZAD-2+ 支持宽频带操作，覆盖从100 MHz到3 GHz的RF和LO频率范围，使其能够适应多种通信标准，如GSM、WCDMA、LTE、Wi-Fi以及点对点微波链路等。其IF输出带宽高达DC至1.4 GHz，支持零中频（Zero-IF）和低中频（Low-IF）架构，适用于直接变频接收机设计。此外，该混频器对LO驱动要求适中，仅需+7 dBm即可保证最佳性能，兼容多数商用LO缓冲放大器输出水平。
　　作为无源器件，ZAD-2+ 不需要供电，具有高可靠性和长寿命，特别适合部署在高温、高振动或远程无人值守环境中。其采用的表贴封装不仅节省PCB空间，还支持自动化贴片生产，提升了制造效率。器件符合RoHS环保标准，适用于全球市场的商业与工业产品设计。总体而言，ZAD-2+ 在性能、尺寸、功耗和可靠性方面表现出色，是高性能射频系统中理想的混频解决方案。

ZAD-2+ 广泛应用于各类高性能射频和微波系统中，尤其适用于需要高镜频抑制能力的通信接收机前端。在无线基站和微波回传设备中，ZAD-2+ 可用于将接收到的高频RF信号下变频至中频，同时有效抑制镜像干扰，提升接收灵敏度与抗干扰能力。在测试与测量仪器领域，如频谱分析仪和信号发生器，该混频器被用作频率转换模块的核心元件，确保测量精度和动态范围。其宽带特性也使其成为通用型射频收发模块的理想选择，适用于软件定义无线电（SDR）、认知无线电和多模通信平台。
　　在军事与航空航天应用中，ZAD-2+ 因其高可靠性、宽温工作能力和出色的互调性能，常用于雷达前端、电子战系统和卫星通信终端。这些应用场景通常要求设备在极端环境下保持稳定工作，而ZAD-2+ 的无源结构和坚固封装正好满足此类需求。此外，在毫米波前端原型开发和科研实验中，工程师常使用ZAD-2+ 进行快速验证和系统调试，因其无需供电且接口标准化（50Ω），易于集成与测试。
　　在物联网（IoT）网关、专用无线网络（如公共安全通信）和广播接收设备中，ZAD-2+ 也可作为高性能下变频单元使用。特别是在多频段融合通信系统中，其宽频带特性减少了更换混频器的需求，降低了系统复杂度。由于其良好的线性度和较高的IIP3（+15 dBm），ZAD-2+ 能够在强干扰环境中保持清晰的信号还原能力，避免交叉调制失真。总之，ZAD-2+ 凭借其卓越的技术指标和灵活的应用适应性，已成为现代射频设计中不可或缺的关键器件之一。

ZAD-2
　　ZX05-C3L-S+