类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大5.4mΩ（典型值4.5mΩ）
　　功耗（Pd）：250W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

Z3PK1545TH MOSFET采用了东芝的先进沟槽式结构技术，使得器件具有极低的导通电阻，从而降低了导通损耗并提高了效率。
　　该器件支持高电流能力，最大连续漏极电流为100A，适合高功率应用场景。
　　其高耐压特性（60V漏源电压）使其适用于多种电源管理应用，包括DC-DC转换器和电机驱动器。
　　Z3PK1545TH还具有良好的热性能，能够在高温环境下稳定运行，其最大工作温度可达+175°C，确保在严苛条件下的可靠性。
　　此外，该MOSFET具有快速开关能力，有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。
　　封装设计采用了东芝的高性能封装技术，确保了良好的散热性能和机械稳定性。

Z3PK1545TH MOSFET广泛应用于需要高功率密度和高效率的电子系统中。其典型应用包括服务器电源、通信电源、电池管理系统、电动工具和工业电机控制。
　　在服务器和通信电源中，该器件的低导通电阻和快速开关特性有助于提高电源转换效率，并减少热量产生。
　　在电池管理系统中，Z3PK1545TH可用于电池充放电控制，其高电流能力和稳定性确保了系统的可靠运行。
　　在电动工具和工业电机控制中，该MOSFET可用于驱动大功率电机，提供高效的功率控制。
　　此外，该器件还可用于汽车电子系统，如车载充电器和起停系统，满足汽车应用对高可靠性和高耐温性能的要求。

Z3PK1545TH的替代型号包括Z3PK1545AH、Z3PK1545SH、SiM6682KDT-T1-GE3、IRF1404ZTRPBF