Z0107NN0,135是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)制造的双极型晶体管(BJT)。该器件属于PNP型晶体管,适用于通用放大和开关应用。Z0107NN0,135采用SOT23(Small Outline Transistor)封装,具有较小的尺寸和良好的热性能,适合在需要紧凑布局的电路设计中使用。该晶体管通常用于低功率放大、信号处理和电源管理等应用。
晶体管类型:PNP
封装类型:SOT23
最大集电极电流(Ic):100 mA
最大集电极-发射极电压(Vceo):30 V
最大集电极-基极电压(Vcbo):50 V
最大功耗(Ptot):300 mW
增益带宽积(fT):100 MHz
最小/最大电流增益(hFE):110-800(根据档位不同)
工作温度范围:-55°C 至 150°C
Z0107NN0,135是一款性能稳定的通用PNP晶体管,具有较高的电流增益和良好的频率响应,适用于多种模拟和数字电路设计。该晶体管的hFE值范围较宽,从110到800,具体取决于器件的增益档位,这使得它在不同应用中具有良好的适应性。其100 MHz的增益带宽积(fT)表明它在高频应用中表现良好,可以用于音频放大器、射频信号处理和高速开关电路。
此外,Z0107NN0,135采用SOT23封装,具有较小的体积和良好的散热性能,适合在高密度PCB设计中使用。其最大集电极电流为100 mA,集电极-发射极电压为30 V,能够在较宽的电压范围内稳定工作。该器件的功耗为300 mW,可以在-55°C至150°C的温度范围内正常运行,适用于工业级和消费级应用。
这款晶体管还具有良好的稳定性和可靠性,适用于各种电源管理、信号放大和开关控制应用。其低饱和电压特性有助于降低功耗并提高电路效率。
Z0107NN0,135广泛应用于各种电子设备和系统中。由于其高增益和良好的频率响应,它常用于音频放大器、射频信号处理和传感器接口电路中。在电源管理应用中,它可以用于稳压电路、负载开关和电池管理系统的控制部分。此外,Z0107NN0,135的开关特性使其适用于数字逻辑电路、继电器驱动器和LED控制电路。
在工业自动化和控制系统中,Z0107NN0,135可用于传感器信号放大、电机控制和继电器驱动。在消费电子产品中,它可用于音频设备、电源适配器和便携式电子设备的内部电路设计。由于其SOT23封装的紧凑性,它也适用于需要高密度PCB布局的设计,如智能卡读写器、智能传感器和小型通信模块。
BC807-25, BC817-25, 2N3906, MMBT3906