时间：2025/7/22 8:02:29
阅读：6
Z0103DN5AA4是一款由东芝（Toshiba）制造的双N沟道功率MOSFET，常用于高性能电源管理应用。该器件采用小型DFN5x6封装，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适合在需要高效能和紧凑设计的电路中使用。
类型：功率MOSFET
通道类型：双N沟道
漏源电压（Vds）：30V
连续漏极电流（Id）：8A
导通电阻（Rds(on)）：15mΩ（典型值）
栅极电压（Vgs）：±20V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装：DFN5x6
Z0103DN5AA4采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供了极低的导通电阻和快速的开关性能，从而降低了功率损耗并提高了系统效率。该器件的双N沟道结构使其适用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关和马达控制等应用。此外，DFN5x6封装设计具有良好的散热性能，确保在高电流条件下也能稳定工作。
该MOSFET还具备出色的可靠性，适用于各种工业和汽车应用。其高栅极电压容限（±20V）增强了在高压瞬态环境下的耐用性。同时，小型DFN封装不仅节省空间，还便于PCB布局，提高了设计的灵活性。
Z0103DN5AA4的热阻（Rth(j-a)）较低，确保了在高温环境下仍能维持良好的热管理。其优异的开关特性使其成为高频电源转换器的理想选择，适用于需要快速响应和低开关损耗的应用场景。
Z0103DN5AA4广泛应用于电源管理系统、同步整流器、DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动器、负载开关以及各种工业和汽车电子设备中的高效能开关控制。
Z0103DN5AT4, Z0103SN5AA4, Z0103SN5AT4, TPC8107, FDMS8878
