时间：2025/6/21 1:33:07
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YSESD3Z08BT1G 是一款由罗姆（ROHM）生产的 TVS 二极管阵列，主要用于保护电子设备免受静电放电（ESD）和其他瞬态电压的损害。它具有超低电容特性，非常适合高速数据线和高频信号线的保护，例如 USB、HDMI 和其他高速接口。此器件采用紧凑型封装，适合空间受限的应用场景。
工作电压：3.3V
峰值脉冲电流：±8A（8/20μs）
箝位电压：14V（典型值）
响应时间：≤1ps
结电容：0.5pF（典型值）
最大工作温度范围：-55℃至+150℃
封装类型：DFN0603-2L
YSESD3Z08BT1G 具有非常低的结电容（仅为 0.5pF），使其成为高速应用的理想选择。此外，它的快速响应时间和低箝位电压可以有效地保护敏感的电子元件免受 ESD 和其他瞬态电压的影响。
该器件还具备高可靠性，符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车级应用。其紧凑的封装形式使其能够轻松集成到小型化设计中。
YSESD3Z08BT1G 广泛应用于需要高速信号保护的场合，包括但不限于以下领域：
- 高速数据接口（如 USB 3.0/3.1、HDMI、DisplayPort 等）
- 汽车电子系统中的高速通信线路
- 移动设备（如智能手机、平板电脑等）中的信号保护
- 工业控制设备中的高速数据传输保护
- 网络设备中的信号完整性保护
PESD3V3X1BL, SMAJ33A
