类型：P 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：-5.6A（在 VGS = -10V）
　　导通电阻（RDS(on)）：约 28mΩ（在 VGS = -10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23 或 SOT-223
　　功率耗散（PD）：1.4W（SOT-23）

YJL3407AL 的核心优势在于其出色的导通性能和高效的热管理能力。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，使其在导通状态下具有极低的 RDS(on) 值，从而降低了导通损耗，提高了整体系统效率。此外，其 P 沟道结构使其在高侧开关应用中具有天然的优势，无需复杂的驱动电路即可实现高效的电源控制。
　　该 MOSFET 具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，适用于对可靠性要求较高的工业和汽车电子应用。其紧凑的封装形式（如 SOT-23 或 SOT-223）也使其成为空间受限应用的理想选择，例如便携式设备和电池管理系统中的负载开关或电源管理模块。
　　另外，YJL3407AL 的栅极驱动电压范围较宽（±20V），使其兼容多种控制电路设计，增强了设计的灵活性。其低栅极电荷（Qg）也有助于降低开关损耗，提高开关速度，从而进一步提升系统的整体效率。

YJL3407AL 广泛应用于多种电源管理场景，包括但不限于负载开关、DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电源分配系统、工业自动化设备以及各类便携式电子产品。其 P 沟道特性使其特别适合用于高侧开关电路，例如在电池供电系统中控制电源的通断。此外，由于其低导通电阻和高效的热管理能力，该器件也常用于需要高可靠性和高性能的汽车电子系统中，例如车载充电器、电源管理模块和车载信息娱乐系统。

Si2301DS, AO3401A, FDN340P, NTR4001N