类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：10A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤70mΩ（在Vgs=10V时）
　　功耗（Pd）：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

YJD27G10AQ MOSFET具有优异的导通和开关性能，能够在高频率下稳定工作。其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够承受较高的工作温度，适用于对散热设计要求较高的应用场合。
　　这款MOSFET采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的散热能力，同时便于PCB布局和自动化生产。其高栅极绝缘能力（±20V Vgs）提高了器件在复杂工作环境下的可靠性，降低了因过电压导致损坏的风险。
　　该MOSFET的封装还提供了良好的机械强度和电气性能，适合在电源管理、工业控制、汽车电子以及消费类电源系统中使用。其100V的漏源电压和10A的连续漏极电流能力使其适用于多种中高功率应用场景。

YJD27G10AQ MOSFET广泛应用于各类电源系统中，如AC-DC适配器、DC-DC转换器、同步整流电路、电机驱动模块以及电池管理系统。此外，该器件也可用于负载开关、过流保护电路以及工业自动化控制系统中的高边或低边开关控制。
　　由于其良好的导通特性和热稳定性，YJD27G10AQ也常用于需要高效能和高可靠性的场合，如LED驱动电源、太阳能逆变器、电动车充电模块等。在消费类电子产品中，它也常用于电源管理单元中的开关元件，以实现高效的能量转换与管理。

Si2302DS、IRFZ44N、AO3402、FDN340P