时间：2025/8/9 7:51:25
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YG967C6 是一款由国内厂商生产的功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于高频率开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子应用。该器件采用先进的平面工艺制造，具有较高的耐压能力和较低的导通电阻，适用于中低功率的功率转换系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：7A（在25℃）
脉冲漏极电流（Idm）：28A
导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω（最大）
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-220
YG967C6 具备优异的热稳定性和可靠的开关性能。其低导通电阻（Rds(on)）使其在导通状态下功耗较低，有助于提高系统效率。同时，该器件具有较高的雪崩击穿耐受能力，增强了在高压应用中的可靠性。此外，YG967C6 还具备快速开关特性，适合应用于高频率开关电源和电机控制电路中。
该MOSFET采用TO-220封装形式，具备良好的散热性能，适用于标准的PCB安装工艺。其栅极驱动电压范围较宽，通常可在10V至15V之间正常工作，方便与多种驱动电路配合使用。由于其具备较高的耐压能力，YG967C6 常用于离线式开关电源、LED驱动电源、小功率逆变器和工业控制设备中。
从制造工艺来看，YG967C6 采用了成熟的平面硅工艺，具备良好的一致性和稳定性。该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适应现代电子制造对环保的要求。此外，其内部结构设计优化了寄生电容，降低了开关损耗，提高了整体性能。
YG967C6 主要应用于以下领域：开关电源（如AC/DC适配器、LED驱动电源）、DC-DC转换器、电机驱动电路、逆变器、工业自动化控制设备以及各种中低功率的电力电子变换装置。由于其具备较高的耐压能力和良好的热稳定性，也常用于需要较高可靠性的工业和消费类电子产品中。
IRF740、FQP7N60C、STP7NK60Z、FGP7N60S
