YG967C6 是一款由国内厂商生产的功率场效应晶体管(MOSFET),主要用于高频率开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子应用。该器件采用先进的平面工艺制造,具有较高的耐压能力和较低的导通电阻,适用于中低功率的功率转换系统。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):600V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):7A(在25℃)
脉冲漏极电流(Idm):28A
导通电阻(Rds(on)):1.2Ω(最大)
工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
封装形式:TO-220
YG967C6 具备优异的热稳定性和可靠的开关性能。其低导通电阻(Rds(on))使其在导通状态下功耗较低,有助于提高系统效率。同时,该器件具有较高的雪崩击穿耐受能力,增强了在高压应用中的可靠性。此外,YG967C6 还具备快速开关特性,适合应用于高频率开关电源和电机控制电路中。
该MOSFET采用TO-220封装形式,具备良好的散热性能,适用于标准的PCB安装工艺。其栅极驱动电压范围较宽,通常可在10V至15V之间正常工作,方便与多种驱动电路配合使用。由于其具备较高的耐压能力,YG967C6 常用于离线式开关电源、LED驱动电源、小功率逆变器和工业控制设备中。
从制造工艺来看,YG967C6 采用了成熟的平面硅工艺,具备良好的一致性和稳定性。该器件符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适应现代电子制造对环保的要求。此外,其内部结构设计优化了寄生电容,降低了开关损耗,提高了整体性能。
YG967C6 主要应用于以下领域:开关电源(如AC/DC适配器、LED驱动电源)、DC-DC转换器、电机驱动电路、逆变器、工业自动化控制设备以及各种中低功率的电力电子变换装置。由于其具备较高的耐压能力和良好的热稳定性,也常用于需要较高可靠性的工业和消费类电子产品中。
IRF740、FQP7N60C、STP7NK60Z、FGP7N60S