YG902C2R 时间：2025/8/9 20:12:56 阅读：3

YG902C2R 是一款广泛应用于电源管理和功率转换领域的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件。该型号通常用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、电机驱动、电池管理系统以及其他需要高效功率控制的场合。YG902C2R 以其低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力以及优异的热稳定性著称，适用于中高功率应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：120A
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：2.2mΩ（典型值）
　　功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

特性

YG902C2R 具备多项优异的电气和热性能，首先是其低导通电阻（Rds(on)），仅为2.2mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。其高耐压能力（60V）和大电流承载能力（120A）使其适用于高功率密度设计。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提高了开关速度并降低了开关损耗。
　　此外，YG902C2R 采用TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具备良好的热管理能力，能够有效散热，确保在高负载条件下的稳定运行。其栅极设计支持宽范围的栅极驱动电压（±20V），增强了设计的灵活性。
　　该MOSFET还具有较高的抗雪崩能力和短路耐受能力，能够在异常工况下保持可靠性。这些特性使其非常适合用于需要高可靠性和高效率的工业、汽车和消费类电子应用。

应用

YG902C2R 广泛应用于多种电力电子系统中。在电源管理领域，常见于同步整流DC-DC转换器、降压（Buck）和升压（Boost）变换器、开关电源（SMPS）等。由于其高电流能力和低导通电阻，也常用于电机控制、电池充放电管理系统（BMS）和逆变器电路。
　　在汽车电子方面，该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、电池管理系统以及车载DC-AC逆变器等。其高可靠性和耐高温特性也使其适用于工业自动化设备、伺服驱动器、UPS不间断电源等关键系统。
　　此外，YG902C2R 还可应用于高功率LED驱动、太阳能逆变器以及储能系统的功率开关模块，满足对高效率和稳定性的严格要求。