YG901C3R 是一款常用的电子元器件芯片,属于功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别。该器件以其高效率、快速开关性能和较低的导通电阻而闻名,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动和各种高功率电子系统中。YG901C3R 采用先进的制造工艺,具有良好的热稳定性和可靠性,适用于工业和消费类电子设备。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):900V
最大栅源电压(Vgs):±30V
最大漏极电流(Id):3A
导通电阻(Rds(on)):典型值为1.5Ω
工作温度范围:-55℃至+150℃
封装类型:TO-92 或 TO-220(视具体版本而定)
功率耗散(Pd):10W(TO-220)或2W(TO-92)
栅极电荷(Qg):约10nC
YG901C3R MOSFET 具有多个显著的技术特性,使其在各种功率应用中表现出色。首先,其高达900V的漏源电压能力使其适用于高压电路环境,例如开关电源和功率因数校正(PFC)模块。其次,该器件的低导通电阻(Rds(on))确保在导通状态下功耗较低,从而提高了系统的整体效率。
此外,YG901C3R 设计有良好的热管理性能,能够在较高电流下保持稳定运行,减少过热失效的风险。其快速的开关特性也使得该器件适用于高频操作,减少了开关损耗并提高了响应速度。栅极电荷(Qg)低至约10nC,意味着驱动电路的负担较小,适合与多种类型的控制器配合使用。
该MOSFET 提供多种封装选项,包括TO-92和TO-220,用户可根据应用需求选择合适的封装形式。TO-220封装适用于需要较高功率耗散的应用,而TO-92则适用于空间受限的低成本应用。此外,器件的高可靠性使其能够在严苛的工业环境中长期稳定运行。
YG901C3R MOSFET 被广泛应用于多个领域。在电源管理方面,它常用于AC-DC和DC-DC转换器中,作为主开关器件以实现高效能的能量转换。在电机驱动系统中,YG901C3R 可用于控制直流电机的转速和方向,其高电压和中等电流能力使其适用于小型到中型电机的控制。
该器件也常见于各种工业自动化设备中,例如PLC(可编程逻辑控制器)和传感器模块,用于电源开关和负载控制。在消费电子产品中,如智能家电和LED照明系统,YG901C3R 常用于功率调节和节能控制。
此外,YG901C3R 还可用于电池管理系统(BMS)、逆变器和不间断电源(UPS)等应用,提供可靠的高压开关解决方案。由于其具备良好的热稳定性和抗干扰能力,该器件在高可靠性要求的应用场景中也表现优异。
FQP9N90C, IRF840, STP5NK90Z