时间：2025/8/9 14:45:41
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YG882C02R 是一款由 YG Semiconductor（扬杰科技）生产的电子元器件，主要用于电源管理和功率转换应用。该器件是一种双N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），封装在紧凑的DFN5x6封装中，适用于高效能、低功耗的电路设计。其主要特点是低导通电阻、高电流承载能力以及快速开关特性，使其在DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电源管理系统中具有广泛应用。
类型：双N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：8A（单通道）
导通电阻（RDS(on)）：典型值2.3mΩ @ VGS=4.5V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：DFN5x6
功率耗散（PD）：2.5W
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
YG882C02R 采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有非常低的导通电阻，有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件内部集成了两个独立的N沟道MOSFET，可以在同步整流、双向负载开关或H桥电机驱动等应用中实现紧凑的设计。其DFN5x6封装具有良好的热性能，能够在高电流条件下保持稳定的运行。此外，该MOSFET具有较高的开关速度，能够适应高频开关应用，如DC-DC转换器和同步整流器。器件的栅极驱动电压范围宽，支持4.5V至12V的驱动电压，兼容多种驱动电路设计。同时，其耐温性能优异，适合在工业级温度范围内稳定工作。
在可靠性方面，YG882C02R 通过了严格的AEC-Q101汽车级认证，适用于车载电子系统、新能源汽车电源管理模块等对可靠性要求较高的应用场景。其高雪崩能量耐受能力也增强了器件在瞬态过压情况下的稳定性，提升了整体系统的安全性。
YG882C02R 主要应用于以下领域：
1. DC-DC转换器：用于高效率、小体积的电源转换系统，如车载充电器、便携式设备电源适配器；
2. 负载开关：用于智能电源管理模块，控制高电流负载的通断；
3. 电机驱动：用于小型电机或步进电机的H桥驱动电路；
4. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电控制开关；
5. 工业自动化控制：用于PLC、伺服驱动器等设备中的功率开关；
6. 新能源汽车电子：如车载逆变器、车载充电模块等对功率密度和效率要求较高的应用。
Si882CDT-E3, TPS2R300DDC, IPD95N06S4-07, AO882C02R
