时间：2025/8/8 23:01:20
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YG872C12R是一款功率MOSFET模块，广泛用于高功率电子设备中，例如工业电源、逆变器和电机驱动器。这款模块具备高电流容量和低导通电阻的特性，适用于需要高效率和高可靠性的应用。
类型：功率MOSFET模块
漏源电压（Vds）：1200V
漏极电流（Id）：800A
导通电阻（Rds(on)）：1.2mΩ
封装形式：双列直插式封装（DIP）
工作温度范围：-50°C至+150°C
热阻（Rth）：0.12K/W
YG872C12R模块以其高电流处理能力、低导通电阻以及优异的热管理性能著称。该模块采用了先进的MOSFET技术，确保了在高负载条件下的稳定性和可靠性。此外，它还具有快速开关特性和较低的开关损耗，使其成为高频应用的理想选择。模块设计紧凑，便于集成到各种电子系统中。
在热管理方面，YG872C12R通过优化的散热路径和高热导材料，能够有效降低工作温度，从而提高设备的整体效率和寿命。其坚固的封装设计也提供了良好的机械稳定性和抗振能力，使其能够在恶劣的工业环境中可靠运行。
YG872C12R常用于高功率工业设备，如大功率逆变器、电动车辆充电系统、太阳能逆变器和工业电机驱动器。此外，它也可用于高频电源转换系统和大电流负载控制应用，为这些设备提供高效、可靠的电力管理解决方案。
SKM800GB12T4
