YG868C12 时间：2025/8/8 23:05:28 阅读：10

YG868C12 是一款由国内厂商生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于需要高效率、高频率开关的电源管理系统中。该器件采用先进的平面工艺制造，具有良好的导通电阻和快速开关性能，适用于DC-DC转换器、同步整流器以及负载开关等应用场景。YG868C12 通常采用TO-252（DPAK）或类似的表面贴装封装，便于散热和集成。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：12V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：80A
　　导通电阻（RDS(on)）：3.2mΩ（典型值，VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

YG868C12 MOSFET具备多项优异特性，使其在高性能电源设计中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，特别是在高电流应用场景中效果更为明显。其次，该器件支持高达80A的连续漏极电流，适用于大功率输出需求。此外，YG868C12具有良好的热稳定性和较高的功率耗散能力（100W），能够在高负载条件下保持稳定运行。其栅极驱动电压范围宽（±20V），兼容多种驱动电路，同时具备较快的开关速度，适用于高频开关应用。封装方面采用TO-252（DPAK）形式，便于安装在PCB上并实现良好的散热性能，适用于自动化生产流程。这些特性使得YG868C12在DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统以及电源管理模块中具有广泛的应用价值。
　　此外，YG868C12还具备良好的抗雪崩能力和过载保护特性，能够在突发的电流冲击或短路情况下保持一定的稳定性，延长器件寿命并提升系统的可靠性。该器件在设计上兼顾了性能与成本，适合用于中高功率级别的工业和消费类电子产品中。