时间：2025/8/9 9:19:49
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YG868C04R 是一款由 YG Semiconductor（扬杰科技）制造的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频率、高效率的开关应用。该器件采用了先进的沟槽式（Trench）MOSFET 技术，能够在低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度之间取得良好的平衡，适用于电源转换器、DC-DC 转换器、负载开关、马达控制等应用场景。YG868C04R 属于 N 沟道增强型 MOSFET，具有较高的耐压能力和较大的连续漏极电流能力，适合在中高功率电子系统中使用。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：40V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：100A（Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：4mΩ（典型值）
功率耗散（Pd）：320W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263（D2PAK）
技术：沟槽式（Trench）MOSFET
YG868C04R 是一款高性能 N 沟道 MOSFET，具有极低的导通电阻和优异的开关性能，适用于高效率功率转换系统。其导通电阻仅为 4mΩ，能够显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。该器件采用先进的沟槽式技术，优化了电场分布，提高了器件的耐压能力和稳定性。
该 MOSFET 的最大漏极电流为 100A，在高负载条件下仍能保持良好的导通性能，适合用于大功率 DC-DC 转换器、同步整流器以及电机驱动等应用。其额定漏源电压为 40V，能够在多种中低压电源系统中稳定工作。
此外，YG868C04R 采用 TO-263（D2PAK）封装形式，具有良好的热管理能力，能够在高功率密度设计中提供出色的散热性能。该封装形式也便于表面贴装（SMT），适用于自动化生产流程。
器件的工作温度范围为 -55℃ 至 +175℃，适用于工业级和汽车级应用环境。其栅源电压最大可达 ±20V，提供了较大的驱动灵活性，并增强了抗干扰能力。同时，该 MOSFET 具有较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗并提高系统的响应速度。
综上所述，YG868C04R 凭借其低导通电阻、高电流能力和优异的热性能，在电源管理和功率转换领域表现出色，是一款适用于多种高要求应用的高性能 MOSFET 器件。
YG868C04R 主要应用于各种高功率密度和高效率的电力电子系统中。在电源管理领域，它常用于同步整流型 DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、负载开关控制和热插拔电路。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效能电源转换的理想选择。
在电机控制和驱动电路中，YG868C04R 可用于 H 桥驱动、直流电机控制和步进电机驱动，提供快速开关响应和低功耗特性。此外，在工业自动化设备、智能电表、通信电源以及新能源汽车的功率模块中，该器件也广泛用于功率开关和能量转换电路。
由于其良好的热性能和宽工作温度范围，YG868C04R 也适用于车载电子系统、光伏逆变器、UPS（不间断电源）系统等对可靠性要求较高的应用环境。
SiSS840DN-T1-GE3, IRF1010EZ, IPB041N04NG
