时间：2025/8/9 16:08:12
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YG865C06是一款功率MOSFET，常用于电源管理和功率开关应用。它具有低导通电阻、高耐压和高可靠性等特性，适合于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关等多种高功率电子系统。该器件采用先进的半导体制造工艺，以确保在高电流条件下仍能保持较低的功耗和良好的热稳定性。
类型：功率MOSFET
封装类型：TO-220
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：120A
导通电阻(Rds(on))：≤6.5mΩ
工作温度范围：-55°C至175°C
功耗(Pd)：300W
漏极电容(Coss)：约2000pF
栅极电荷(Qg)：约180nC
YG865C06的导通电阻非常低，有助于降低导通损耗并提高系统效率。其高电流处理能力和高耐压特性使其适用于高功率密度设计。该MOSFET采用了优化的封装设计，提高了散热性能，从而在高负载条件下仍能维持稳定的工作状态。此外，其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体系统性能。
在可靠性方面，YG865C06具有良好的热稳定性和抗过载能力，能够在恶劣环境下长时间运行。其栅极氧化层经过优化设计，提高了抗静电能力和栅极稳定性。该器件还具备较低的栅极电荷，支持高频开关操作，适用于需要快速响应的应用场景。
YG865C06广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统、工业自动化设备和电动汽车充电模块等。由于其高效率和高可靠性，该器件也常用于服务器电源、UPS不间断电源和储能系统中。在新能源和高效能计算领域，YG865C06提供了稳定的功率控制解决方案。
SiHF60N120Y、IPW60R120C6、IRF1404、STP120NF7F7、FDMS86180
