时间：2025/8/9 18:34:05
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YG802C10R是一款由国内厂商生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），常用于电源管理和功率控制领域。该器件采用先进的工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性，适用于各类高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器以及负载开关等应用场合。YG802C10R通常采用TO-252（DPAK）或类似的表面贴装封装，便于在PCB上安装和散热。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：80V
连续漏极电流（ID）：10A（在25℃）
导通电阻（RDS(on)）：≤10mΩ（典型值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：1.8V~3.0V
工作温度范围：-55℃~+175℃
封装形式：TO-252（DPAK）
YG802C10R的主要特性之一是其较低的导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统的整体效率。该器件在设计上优化了开关性能，具有较快的上升和下降时间，从而降低了开关损耗，适用于高频应用。此外，YG802C10R具备良好的热稳定性，能够在较高温度下稳定工作，提高了系统的可靠性和耐久性。
该MOSFET的栅极驱动电压范围适中，兼容常见的12V和5V驱动电路，便于在不同控制系统中使用。其封装形式采用标准的TO-252（DPAK），具有良好的散热性能，适用于表面贴装工艺，便于自动化生产。
安全性方面，YG802C10R具有较高的短路耐受能力，能够在瞬态过载情况下保持稳定运行。此外，器件内部结构优化，具备良好的抗静电能力（ESD），提高了在复杂电磁环境中的稳定性。
YG802C10R广泛应用于各种功率电子设备中，例如：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、工业自动化控制、LED驱动电源等。由于其高效率和高可靠性，特别适用于对功率密度和热管理有较高要求的设计中。
SiHF80N10D、IRFZ44N、STP80NF55、FDP80N10
