时间：2025/8/9 20:09:47
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YG802C06是一款功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于高功率和高频率应用。该器件采用先进的硅加工技术制造，具有低导通电阻和优异的开关性能。适用于电源转换、电机控制和工业自动化等多种电子系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大漏极电流（Id）：120A
导通电阻（Rds(on)）：6.5mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷（Qg）：80nC
封装：TO-247
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
YG802C06具备低导通电阻和快速开关速度，这使其在高频应用中表现出色。器件的高电流承载能力和优异的热稳定性，使其适用于高功率密度设计。此外，该MOSFET采用TO-247封装，提供良好的散热性能，确保在恶劣工作条件下的可靠性。
其栅极驱动要求较低，有助于降低驱动电路的复杂性。同时，该器件具有较高的短路耐受能力，能够承受瞬时过载而不损坏。内置的体二极管也提供反向电压保护，使其在电机驱动和逆变器应用中表现出色。
YG802C06常用于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、UPS系统、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统。此外，该器件也适用于高功率音频放大器和开关电源（SMPS）等应用。
IRF1404, STP120NF6F7, FDPF6N60
