时间：2025/8/9 14:19:30
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YG801C10R是一种常见的电子元器件芯片，属于功率场效应晶体管（MOSFET）类别，广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件具备高耐压和大电流承载能力，适用于各类工业控制、电源适配器、电池充电系统和DC-DC转换器等应用场景。YG801C10R采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和良好的热稳定性，确保在高负载条件下的可靠运行。
类型：功率MOSFET
最大漏极电压（Vds）：100V
最大漏极电流（Id）：8A
导通电阻（Rds(on)）：10mΩ
封装类型：TO-252
工作温度范围：-55°C至150°C
最大功耗：2.5W
YG801C10R具有多个关键特性，使其适用于高性能电源管理应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少导通损耗，提高整体效率。其次，高耐压能力（100V）和大电流承载能力（8A）使其适用于中高功率应用场景。此外，该器件采用TO-252封装，具备良好的散热性能，能够在高负载条件下保持稳定运行。YG801C10R还具备快速开关特性，适用于高频开关电源设计，减少开关损耗并提高响应速度。其高可靠性和稳定性使其在恶劣环境下也能保持正常工作，适用于工业级应用要求。
YG801C10R主要应用于各种电源管理系统和功率电子设备中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统、电机控制电路、LED驱动电源以及工业自动化控制系统。此外，该器件也可用于电池充电器、UPS不间断电源和光伏逆变系统等需要高效功率管理的场合。由于其高耐压和低导通电阻的特性，YG801C10R在需要高效能和高可靠性的电源应用中表现出色。
SiHF80N10, STP80NF10L, IRFZ44N
