时间：2025/7/10 4:09:30
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YFW8N50AD是一款N沟道增强型功率MOSFET，主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效能开关的应用场合。该器件采用TO-220封装形式，具有低导通电阻和高击穿电压的特性，能够显著降低功耗并提高系统的整体效率。
最大漏源电压：500V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：8A
导通电阻（典型值）：1.2Ω
总功耗：115W
工作温度范围：-55℃至+150℃
YFW8N50AD具有以下主要特性：
1. 高耐压能力，适用于高压环境下的各种应用。
2. 低导通电阻设计，可以有效减少功率损耗。
3. 快速开关速度，有助于提升电路的工作效率。
4. 强大的散热性能，能够承受较高的结温。
5. 具备良好的电气稳定性和可靠性，适合长时间运行的关键性任务。
6. TO-220封装易于安装和使用，并且具备优秀的散热能力。
这款功率MOSFET广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中作为高频开关元件。
3. 各类电机驱动控制电路。
4. 过流保护电路和负载开关。
5. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制。
6. 工业自动化设备中的电源管理模块。
IRF840, STP8NK50Z, FQP13N50
