时间：2025/7/7 18:48:19
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YFW80N10AD是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等电路中。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
YFW80N10AD能够在高达100V的漏源电压下工作，并且具备较高的电流处理能力，从而使其适用于各种高性能功率管理应用。此外，其紧凑的封装形式有助于节省PCB空间。
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：80A
导通电阻(Rds(on))：8mΩ
栅极电荷(Qg)：65nC
输入电容(Ciss)：4340pF
输出电容(Coss)：190pF
反向传输电容(Crss)：70pF
功耗(PD)：180W
结温范围(Tj)：-55°C至+175°C
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗并提高效率。
2. 高雪崩击穿能力和鲁棒性，能够承受瞬态过压事件。
3. 快速开关速度，减少开关损耗。
4. 内置ESD保护功能，增强器件可靠性。
5. 符合RoHS标准，绿色环保。
6. 封装形式为TO-220，便于散热设计。
7. 具有良好的热稳定性和电气性能，在极端温度条件下表现优异。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器的功率级开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
5. 工业自动化设备中的继电器替代方案。
6. 汽车电子系统中的大电流开关元件。
7. LED驱动器中的功率控制组件。
IRF840A
STP80NF10
FDP150N10AS
IXFN120N10T2
