时间：2025/6/12 15:33:25
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YFW80N04AMJ是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要应用于低电压、高效率的开关电路中，例如DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等。其设计特点在于具备较低的导通电阻和较快的开关速度，从而有效降低功率损耗并提高系统效率。
该型号属于YF系列，采用PDFN5*6封装形式，具有较小的体积和良好的散热性能，适合对空间要求较高的应用场合。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：80A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：47nC
输入电容：3080pF
开关速度：典型值10ns
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在标准条件下仅为2.5mΩ，有助于减少传导损耗。
2. 高额定电流能力，能够承受高达80A的连续漏极电流。
3. 快速开关性能，栅极电荷低至47nC，可实现高频操作。
4. PDFN5*6封装提供出色的热性能和电气性能，同时减小了PCB板占用面积。
5. 工作温度范围宽广，适应各种严苛环境下的使用需求。
6. 具备优秀的ESD防护能力，确保在制造和使用过程中的可靠性。
1. 开关电源（SMPS）及DC-DC转换器中的功率开关。
2. 电池管理系统（BMS）中的负载开关或保护开关。
3. 汽车电子系统中的电机驱动和继电器替代。
4. 高效同步整流应用。
5. 各种工业控制和消费类电子产品中的功率管理模块。
6. 通信设备中的电源管理和信号切换。
YFW80N04BMJ, YFW80N04CMJ
