时间：2025/7/7 18:04:44
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YFW4N65AD是一种增强型N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和功率控制应用。该器件采用TO-220封装形式，具有较低的导通电阻和较高的击穿电压，适合于需要高效能和高可靠性的电路设计。其典型应用场景包括开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：6.8A
栅极-源极电压：±20V
导通电阻：1.1Ω
总功耗：130W
工作结温范围：-55℃至+175℃
YFW4N65AD具备出色的电气性能和稳定性。
1. 高击穿电压（650V）使其能够承受较高的电压波动，适用于工业级或高压环境。
2. 较低的导通电阻（1.1Ω）减少了功率损耗，提高了整体效率。
3. 快速开关能力使得它在高频应用中表现优异。
4. 耐热性良好，能够在极端温度条件下稳定运行。
5. TO-220封装提供了良好的散热性能和机械强度，便于安装和使用。
YFW4N65AD广泛应用于各类电力电子领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关元件。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率输出级。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. 逆变器和光伏系统中的功率管理模块。
6. 工业设备中的高压控制电路。
STP65NF06L
IRFZ44N
FDP18N65C
IXTH68N65B2
