YFW16N65AF是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和逆变器等领域。该器件采用了先进的工艺技术,具备低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点,能够有效提高系统效率并降低功耗。
这款MOSFET属于N沟道增强型器件,适用于多种工业和消费电子应用场合,特别适合需要高效率和高可靠性的电路设计。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:16A
导通电阻:0.18Ω
栅极电荷:35nC
输入电容:1240pF
总电荷:75nC
工作温度范围:-55℃至+150℃
1. 高击穿电压(650V),能够在高压环境下稳定工作。
2. 低导通电阻(0.18Ω),有助于减少导通损耗并提高效率。
3. 快速开关速度,降低了开关损耗。
4. 栅极电荷较小,便于驱动。
5. 宽工作温度范围(-55℃至+150℃),适应各种恶劣环境。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 逆变器
4. 电机驱动
5. 工业控制
6. 消费类电子产品中的功率管理模块
IRF840, STP16NF65, FDP16N65