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YFW16N65AF 发布时间 时间:2025/6/14 19:29:43 查看 阅读:32

YFW16N65AF是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和逆变器等领域。该器件采用了先进的工艺技术,具备低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点,能够有效提高系统效率并降低功耗。
  这款MOSFET属于N沟道增强型器件,适用于多种工业和消费电子应用场合,特别适合需要高效率和高可靠性的电路设计。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:16A
  导通电阻:0.18Ω
  栅极电荷:35nC
  输入电容:1240pF
  总电荷:75nC
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

1. 高击穿电压(650V),能够在高压环境下稳定工作。
  2. 低导通电阻(0.18Ω),有助于减少导通损耗并提高效率。
  3. 快速开关速度,降低了开关损耗。
  4. 栅极电荷较小,便于驱动。
  5. 宽工作温度范围(-55℃至+150℃),适应各种恶劣环境。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 逆变器
  4. 电机驱动
  5. 工业控制
  6. 消费类电子产品中的功率管理模块

替代型号

IRF840, STP16NF65, FDP16N65

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