时间：2025/8/7 10:14:15
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YFW120N04NF 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻、高电流能力和优异的热性能。其封装形式为TO-252（DPAK），适用于表面贴装，适合各种电源管理模块和工业控制设备。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：120A
最大漏-源电压（VDS）：40V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大4.8mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
YFW120N04NF 具备多项优异特性，使其适用于高功率密度和高效率的电源系统。其低导通电阻（RDS(on)）可有效降低导通损耗，提高能效，适用于大电流负载应用。该器件采用先进的沟槽式结构技术，优化了电场分布，提升了开关性能和热稳定性。
此外，YFW120N04NF 具有较高的栅极耐用性，能够承受较大的栅极电压波动，提高了器件的可靠性和使用寿命。其封装设计具有良好的热传导性能，便于散热，适合长时间高负载运行的应用场景。
该MOSFET还具备快速开关能力，减少开关损耗，适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器和电池管理系统等应用。同时，其紧凑的封装设计有助于节省PCB空间，提升整体系统设计的灵活性。
YFW120N04NF 主要应用于各种功率电子设备中，包括但不限于：高性能DC-DC转换器、服务器电源、通信电源、工业控制电源、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及电动车和储能系统的电源模块。由于其低导通电阻和高电流能力，它特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统。
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