YFW10N80AF是一种高压N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高频开关和功率转换应用设计。该器件采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和良好的开关性能,适用于各种电源管理场景。
其耐压能力高达800V,使其非常适合高电压环境下的工作需求。同时,YFW10N80AF具备快速恢复特性,能够有效减少开关损耗,提高系统效率。
型号:YFW10N80AF
类型:N沟道MOSFET
最大漏源极电压(Vds):800V
最大栅源极电压(Vgs):±20V
持续漏极电流(Id):10A
导通电阻(Rds(on)):≤4.5Ω(在Vgs=10V时)
总功耗(Ptot):150W
工作温度范围(Tj):-55℃至+150℃
封装形式:TO-247
YFW10N80AF是一款高性能的MOSFET器件,具有以下主要特点:
1. 高耐压能力:800V的最大漏源极电压,适合高电压应用场景。
2. 低导通电阻:Rds(on)典型值≤4.5Ω,在同级别产品中表现出色,降低了传导损耗。
3. 快速开关性能:具备短的开关时间和低栅极电荷(Qg),可实现高效开关操作。
4. 热稳定性强:支持高温工作环境,最高结温可达+150℃。
5. 大电流承载能力:10A的持续漏极电流确保了其在高功率应用中的可靠性。
6. 封装坚固耐用:采用TO-247标准封装,散热性能优异,便于安装和集成。
这些特性使YFW10N80AF成为高电压、大功率电子设备的理想选择,例如开关电源(SMPS)、电机驱动器和逆变器等。
YFW10N80AF广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):作为主开关元件,用于AC-DC或DC-DC转换。
2. 电机驱动:控制电机的速度和方向,尤其是在高压电机应用中。
3. 工业逆变器:用于太阳能逆变器和其他类型的电力转换系统。
4. PFC电路(功率因数校正):提高系统的功率因数并降低谐波失真。
5. 充电器:适配器、电池充电器等高电压输出设备。
由于其出色的性能,YFW10N80AF特别适合需要高效率和高可靠性的工业和消费类电子产品。
YFW10N80AE, IRFP460, STP10NK80Z